CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. sitemap

GaN Epitaxial Wafer

• 2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status
• Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf
• 2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten
• Het Vliegtuig van het de Halfgeleiderwafeltje 325um 375um C van het galliumnitride

Sic Epitaxial Wafeltje

• Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um
• 6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
• 4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um
• Het Type 6inch 4H van niveau Psi sic Semi Isolerend Substraat 150mm

GaAs Epi-wafel

• 2inch GaAs Epi Wafer GaAs Undoped Substraten VGF
• S-C-N Conduct 2inch GaAs ongedoteerde substraten Hoge elektronenmobiliteit
• 2inch GaAs Undoped Substratengaas Epi Wafeltje 0.4E18 aan 1E18
• VGF-GaAs Undoped Substraten2inch GaAs Additief van Si

CVD diamantsubstraten

• CVD-diamantsubstraten van elektronische kwaliteit Diëlektrische constante 5.5
• XRD
• 3 de Inhoud van N van CVD Diamond Substrates van X 3mm2 < 100ppb voor Heatsink
• N Inhoud

Snel thermisch uitgloeisysteem

• Verhoog de productie Rapid Thermal Processing RTP-SA-8 Annealing System
• 150mm verwerkt het Snelle Thermische Onthardende Systeem met Drie Reeksen Gassen

Hall-effect sensortester

• Hall Coefficient Hall Effect Sensor-het Weerstandsvermogenmeting van de Meetapparaatmobiliteit
• Industrie van Hall Effect Sensor Tester Semiconductor van de dragerconcentratie
• De Concentratiemeting van Hall Effect Sensor Tester Carrier van halfgeleidermaterialen

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

• 1'' AlN Aluminium Nitride Wafer 400um S/P/R Grade Chemisch Polijsten
• 25.4mm 1inch AlN Enig Kristal 400um 2H Crystal Form
• 1inch AlN Enig Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um
• C vliegtuig AIN op saffierwafer enkel- of dubbelzijdig gepolijst

De Spaander van de laserdiode

• Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A
• 915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp
• 915nm het Pakket van Chip Printing Surface Mount Standard van de laserdiode
• Emitter Grootte 94um Diode Laser Chip Op Submount Ontwerp Drempel Stroom 0.5A

Het Kristal van het siliciumcarbide

• Primaire Vlakke Lengte 32.5mm Kristal 4“ p-Rang 100.0mm van het Siliciumcarbide
• 4H Politype Enig Crystal Silicon Carbide 4“ p-het Gezicht van Rangsi
• 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm Siliciumcarbide kristal N-type
• 100.0mm Kristal 4“ p-Rang 18.0mm van het Siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

• FWHM<350arcsecga2o3 Wafeltje Enig Crystal Substrate Thickness 0.6mm tot 0.8mm
• Enkelzijdig gepolijst Ga2O3-substraat Enkele kristaldikte 0,6 mm 0,8 mm
• 10x10mm Ga2O3 Wafeltje 10x15mm Enig Crystal Substrate
• Smeren van halfgeleider het Enige Crystal Gallium Oxide Substrate UID

siliciumwafeltje

• 0,001-100 ohm-cm Siliciumwafer P-type boordoteermiddel
• De afzonderlijke Substraten P/E P/P E van Apparatensi/B.V. /G-Gebeëindigde Oppervlakte
• Eerste 2“ Siliciumwafeltje Standard <10 μm Maximumcapabilities<5um
• Micro-elektronisch 279um silicium epitaxiaal wafer primair substraat

Sapphire Wafer

• 50mm Sapphire Wafer R9 het Spiegel Opgepoetste EPI Klaar Type van Wafeltjerand R
• Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
• Een vlak oppervlak Oriëntatie Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
• Hoge zuiverheid Al2O3 50 mm saffiersubstraatwafeltje Thk 430 μm

Gevormde Sapphire Substrates

• Platte randhoek 16 mm patroon saffiersubstraten vooroppervlak
• Gevormde Sapphire Crystal Wafer 2inch Sapphire Substrate
• Saffiersubstraten met patroon van 50,80 mm 430um A Plane
• Back Laser Making Patterned PSS Sapphire Substraat TTV 5um

wafeltjehouder

• 6 inch Wafer Houder Schoonmaken van bloemenmanden en handvatten

Wafelsnijmachine

• 0.1mm/s aan 600mm/s-Wafeltje Dobbelende Machine X As Scherpe Waaier 260mm
• Siliciumwafelblokjesmachine 260 mm automatische blokjeszaag
• Automatische wafelblokjesmachine 8 inch 250 mm × 250 mm 300 mm
• 8 inch wafel snijmachine X-as snijbereik 260 mm 1,8 kW 2,2 kW