CHINA Het Kristal van het siliciumcarbide

Primaire Vlakke Lengte 32.5mm Kristal 4“ p-Rang 100.0mm van het Siliciumcarbide

Politype:4h

Diameter:100,0 mm ± 0,5 mm

Dragertype:N-TYPE
4H Politype Enig Crystal Silicon Carbide 4“ p-het Gezicht van Rangsi

Politype:4h

Diameter:100,0 mm ± 0,5 mm

Richtlijn:4,0° ± 0,2°
0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm Siliciumcarbide kristal N-type

Dragertype:N-TYPE

weerstandsvermogen:0.015~0.028ohm.cm

Richtlijn:4,0° ± 0,2°
100.0mm Kristal 4“ p-Rang 18.0mm van het Siliciumcarbide

Politype:4h

Diameter:100,0 mm ± 0,5 mm

Dragertype:N-TYPE
100.0mm Kristal 4“ p-Rang Politype 4H van het Siliciumcarbide

Politype:4h

Diameter:100,0 mm ± 0,5 mm

Dragertype:N-TYPE
4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm

Politype:4h

Dragertype:N-TYPE

weerstandsvermogen:0.015~0.028ohm.cm
JDZJ01-001-002 sic Baarkristal 4 de“ Rang van D

Politype:4h

Diameter:100,0 mm ± 0,5 mm

Dragertype:N-TYPE
JDZJ01-001-008 4&6inch SiC-zaadkristal

Politype:4h

Diameter:105 ± 0,5 mm

Dikte:500 ± 50 μm
JDZJ01-001-007 het Zaadkristal van het siliciumcarbide

Diameter:105 ± 0,5 mm

Dragertype:500 ± 50 μm

TTV:≤15μm
JDZJ01-001-005 sic Rang 6“ s-Rang φ153±0.5mm van het Zaadkristal S

Afwijking (μm):≤50μm

Diameter:153 ± 0,5 mm

Dikte:500 ± 50 mm
JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" P-kwaliteit

Politype:4h

Diameter:150,0 mm ± 0,5 mm

Dragertype:N-TYPE
JDZJ01-001-006 sic Rang 6“ s-Rang φ153±0.5mm van het Zaadkristal S

Afwijking (μm):≤50μm

Diameter:153 ± 0,5 mm

Randlengte hoofdpositionering:8,0 ± 2,0

Page 1 of 1

Het Kristal van het siliciumcarbide

CHINA Het Kristal van het siliciumcarbide

Primaire Vlakke Lengte 32.5mm Kristal 4“ p-Rang 100.0mm van het Siliciumcarbide

4H Politype Enig Crystal Silicon Carbide 4“ p-het Gezicht van Rangsi

0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm Siliciumcarbide kristal N-type

100.0mm Kristal 4“ p-Rang 18.0mm van het Siliciumcarbide

100.0mm Kristal 4“ p-Rang Politype 4H van het Siliciumcarbide

4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm

JDZJ01-001-002 sic Baarkristal 4 de“ Rang van D

JDZJ01-001-008 4&6inch SiC-zaadkristal

JDZJ01-001-007 het Zaadkristal van het siliciumcarbide

JDZJ01-001-005 sic Rang 6“ s-Rang φ153±0.5mm van het Zaadkristal S

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6" P-kwaliteit

JDZJ01-001-006 sic Rang 6“ s-Rang φ153±0.5mm van het Zaadkristal S

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP