Thuis Producten

CVD diamantsubstraten

CHINA CVD diamantsubstraten

CVD-diamantsubstraten van elektronische kwaliteit Diëlektrische constante 5.5

Dichtheid (g/cm3):3.515

Productnaam:CVD diamantsubstraten

Firctiecoëfficiënt:0,1
XRD

Dichtheid (g/cm3):3.515

Productnaam:CVD diamantsubstraten

Firctiecoëfficiënt:0,1
3 de Inhoud van N van CVD Diamond Substrates van X 3mm2 < 100ppb voor Heatsink

Dichtheid (g/cm3):3.515

Young's modulus (PGa):1050

Productnaam:CVD diamantsubstraten
N Inhoud

Dichtheid (g/cm3):3.515

Young's modulus (PGa):1050

Productnaam:CVD diamantsubstraten
3.515g/cm3 CVD Diamond Substraten Lichtdoorlaatbaarheid 225nm tot ver infrarood

Dichtheid (g/cm3):3.515

Young's modulus (PGa):1050

Productnaam:CVD diamantsubstraten
De Modulus 1050PGa van jongelui kiest Crystal Substrate Electronic Grade uit

Productnaam:CVD diamantsubstraten

Breuktaaiheid (MPa·m1/2):1~8

Firctiecoëfficiënt:0,1
Wm K 1000 ~ 2000 CVD Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K

Dichtheid (g/cm3):3.515

Young's modulus (PGa):1050

Productnaam:CVD diamantsubstraten
225nm tot ver infrarood elektronische kwaliteit Single Crystal Diamond Wafer N-inhoud

Productnaam:CVD diamantsubstraten

Dichtheid (g/cm3):3.515

Young's modulus (PGa):1050
70 tot 120 PGa de Rang van CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic

Dichtheid (g/cm3):3.515

Young's modulus (PGa):1050

Productnaam:CVD diamantsubstraten
3x3mm2 0.3mm Elektronische Rang Enig Crystal Diamond 225nm aan veel Infrarood

Dichtheid (g/cm3):3.515

Young's modulus (PGa):1050

Productnaam:CVD diamantsubstraten
JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm elektronische kwaliteit Single Crystal Diamond, N-inhoud

Dichtheid (g/cm3):3.515

Young's modulus (PGa):1050

Productnaam:CVD diamantsubstraten
JDCD05-001-007 CVD-diamantsubstraten

Dichtheid (g/cm3):3.515

Young's modulus (PGa):1050

Productnaam:CVD diamantsubstraten

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

CVD diamantsubstraten

CHINA CVD diamantsubstraten

CVD-diamantsubstraten van elektronische kwaliteit Diëlektrische constante 5.5

XRD

3 de Inhoud van N van CVD Diamond Substrates van X 3mm2 < 100ppb voor Heatsink

N Inhoud

3.515g/cm3 CVD Diamond Substraten Lichtdoorlaatbaarheid 225nm tot ver infrarood

De Modulus 1050PGa van jongelui kiest Crystal Substrate Electronic Grade uit

Wm K 1000 ~ 2000 CVD Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K

225nm tot ver infrarood elektronische kwaliteit Single Crystal Diamond Wafer N-inhoud

70 tot 120 PGa de Rang van CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic

3x3mm2 0.3mm Elektronische Rang Enig Crystal Diamond 225nm aan veel Infrarood

JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm elektronische kwaliteit Single Crystal Diamond, N-inhoud

JDCD05-001-007 CVD-diamantsubstraten

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP