Thuis Producten

GaN Epitaxial Wafer

Beste Producten

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Afmetingen:50.8 ± 1 mm

Productnaam:free-standing GaN Substrates

Dikte:350 ±25µm
Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

Afmetingen:50.8 ± 1 mm

Dikte:350 ±25µm

Boog:- 10µm ≤ BOOG ≤ 10µm
2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Afmetingen:50.8 ± 1 mm

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Het Vliegtuig van het de Halfgeleiderwafeltje 325um 375um C van het galliumnitride

Productnaam:Het substraat van het GaN enige kristal

Afmetingen:50.8 ± 1 mm

Dikte:350 ±25µm
375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten

Productnaam:2-duim Free-standing Substraten u-GaN/SI-GaN

Afmetingen:50.8 ± 1mm

Dikte:350 ± 25μm
2 Si GaN Substrates 50.8mm van duimu GaN Substrates

Productnaam:2-duim Free-standing Substraten u-GaN/SI-GaN

Afmetingen:50.8 ± 1mm

Dikte:350 ± 25μm
Enig Gezichts de V.N. Gesmeerd N Type van Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C

Productnaam:2-duim Free-standing Substraten u-GaN/SI-GaN

Afmetingen:50.8 ± 1mm

Dikte:350 ± 25μm
50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status

Productnaam:2-duim Free-standing Substraten u-GaN/SI-GaN

GA-de ruwheid van de gezichtsoppervlakte:< 0="">

Vlakke richtlijn:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm
Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um

Productnaam:2-duim Free-standing Substraten u-GaN/SI-GaN

Afmetingen:50.8 ± 1mm

Dikte:350 ± 25μm
SP Gezicht 5 X 10mm2 Gallium Nitride Substraat 350um

Productnaam:free-standing GaN Substrates

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 GaN epitaxiaal wafeltje Un-gedoteerd SI-type

Productnaam:Free-Standing GaN Single Crystal Substrate

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
GaN Single Crystal Gallium Nitride Wafer SI Type

Afmetingen:5 x 10mm ²

Productnaam:free-standing GaN Substrates

Dikte:350 ±25µm

Page 1 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

GaN Epitaxial Wafer

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Het Vliegtuig van het de Halfgeleiderwafeltje 325um 375um C van het galliumnitride

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten

2 Si GaN Substrates 50.8mm van duimu GaN Substrates

Enig Gezichts de V.N. Gesmeerd N Type van Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um

SP Gezicht 5 X 10mm2 Gallium Nitride Substraat 350um

5x10mm2 GaN epitaxiaal wafeltje Un-gedoteerd SI-type

GaN Single Crystal Gallium Nitride Wafer SI Type

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP