CHINA Ga2O3 Wafeltje

FWHM<350arcsecga2o3 Wafeltje Enig Crystal Substrate Thickness 0.6mm tot 0.8mm

Dikte:0.6~0.8mm

Productnaam:Enig Crystal Substrate

Richtlijn:(010)
Enkelzijdig gepolijst Ga2O3-substraat Enkele kristaldikte 0,6 mm 0,8 mm

Ra:≤0.5nm

Dikte:0.6~0.8mm

Productnaam:Enig Crystal Substrate
10x10mm Ga2O3 Wafeltje 10x15mm Enig Crystal Substrate

Richtlijn:(010) (201)

Afmetingen:10*10mm; 10*15mm

Productnaam:Enig Crystal Substrate
Smeren van halfgeleider het Enige Crystal Gallium Oxide Substrate UID

Dikte:0.6~0.8mm

Productnaam:Enig Crystal Substrate

Richtlijn:(010) (201)
10x15mm2 UID gedoteerd vrijstaand Ga2O3 wafer enkel polijsten

Dikte:0.6~0.8mm

Productnaam:Enig Crystal Substrate

Richtlijn:(010) (201)
Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Epitaxial Wafer 2 Inch 4 Inch

Productnaam:Enig Crystal Substrate

Dikte:0.6~0.8mm

Richtlijn:(201)
Sn Doping Ga2O3 Wafer Single Crystal Substraat 10x10mm2

Dikte:0.6~0.8mm

Productnaam:Enig Crystal Substrate

Richtlijn:(201)
Ga2O3 Fe Doped Wafer Single Crystal Substraat 10x10mm2 vrijstaand

FWHM:<350arcsec>

Opgepoetste Oppervlakte:Enige opgepoetste kant

Dikte:0.6~0.8mm
Enig Kant Opgepoetst Ga2O3-Wafeltje Enig Crystal Substrate

Productnaam:Enig Crystal Substrate

Dikte:0.6~0.8mm

Opgepoetste Oppervlakte:Enige opgepoetste kant
0.6mm 0.8mm Ga2O3 kiezen Crystal Substrate Single Polishing uit

Productnaam:Enig Crystal Substrate

Richtlijn:(201)

Opgepoetste Oppervlakte:Enige opgepoetste kant
JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-gedoteerd vrijstaand Ga2O3 enkelvoudig kristalsubstraat Productkwaliteit enkel polijsten

Dikte:0.6~0.8mm

Productnaam:Enig Crystal Substrate

Richtlijn:(101)
JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-Gesmeerde Free-Standing Ga2O3 kiest het Enige Oppoetsen van Crystal Substrate Product Grade uit

Dikte:0.6~0.8mm

Productnaam:Enig Crystal Substrate

Richtlijn:(201)

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Ga2O3 Wafeltje

CHINA Ga2O3 Wafeltje

FWHM<350arcsecga2o3 Wafeltje Enig Crystal Substrate Thickness 0.6mm tot 0.8mm

Enkelzijdig gepolijst Ga2O3-substraat Enkele kristaldikte 0,6 mm 0,8 mm

10x10mm Ga2O3 Wafeltje 10x15mm Enig Crystal Substrate

Smeren van halfgeleider het Enige Crystal Gallium Oxide Substrate UID

10x15mm2 UID gedoteerd vrijstaand Ga2O3 wafer enkel polijsten

Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Epitaxial Wafer 2 Inch 4 Inch

Sn Doping Ga2O3 Wafer Single Crystal Substraat 10x10mm2

Ga2O3 Fe Doped Wafer Single Crystal Substraat 10x10mm2 vrijstaand

Enig Kant Opgepoetst Ga2O3-Wafeltje Enig Crystal Substrate

0.6mm 0.8mm Ga2O3 kiezen Crystal Substrate Single Polishing uit

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-gedoteerd vrijstaand Ga2O3 enkelvoudig kristalsubstraat Productkwaliteit enkel polijsten

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-Gesmeerde Free-Standing Ga2O3 kiest het Enige Oppoetsen van Crystal Substrate Product Grade uit

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP