Thuis Producten

Sapphire Wafer

CHINA Sapphire Wafer

50mm Sapphire Wafer R9 het Spiegel Opgepoetste EPI Klaar Type van Wafeltjerand R

Diameter:50.8 ±0.10

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Laserteken:Als vereiste klant
Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Materiaal:Hoge zuiverheidsal ₂ O ₃ (>99.995%)

Dikte:430±15μm
Een vlak oppervlak Oriëntatie Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Materiaal:Hoge zuiverheidsal ₂ O ₃ (>99.995%)

Dikte:430 ±15μm
Hoge zuiverheid Al2O3 50 mm saffiersubstraatwafeltje Thk 430 μm

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Materiaal:Hoge zuiverheidsal ₂ O ₃ (>99.995%)

Dikte:430±15μm
Een Plane Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

Productnaam:Sapphire Substrate Wafer

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Materiaal:Hoge zuiverheidsal ₂ O ₃ (>99.995%)
EPI Klaar Sapphire Substrate Wafer Edge R Type Opgepoetste Spiegel

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Materiaal:Hoge zuiverheidsal2o3 (>99.995%)

Dikte:430 ±10μm
Kristaloriëntatie C/M0.2 Sapphire Wafer Thk 440μm

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Materiaal:Hoge zuiverheidsal ₂ O ₃ (>99.995%)

Dikte:430 ±10μm
Een Vliegtuig Sapphire Substrate Wafer Thk 440um VAN Lengte (mm) 16 LEIDENE Spaander

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Productnaam:50mm Sapphire Substrate Wafer

Materiaal:Hoge zuiverheidsal ₂ O ₃ (>99.995%)
Hoge zuiverheid Al2O3>99,995% saffierwafel spiegel gepolijst EPI gereed

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Materiaal:Hoge zuiverheidsal ₂ O ₃ (>99.995%)

Dikte:430 ±15μm
Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 420um

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Materiaal:Hoge zuiverheidsal ₂ O ₃ (>99.995%)

Dikte:430 ±15μm
R Type 50 mm saffierwafer Dikte 420 μm lengte (mm) 16 LED-chip

Productnaam:Sapphire Substrate Wafer

Materiaal:Hoge zuiverheidsal ₂ O ₃ (>99.995%)

Wafeltjerand:R-type
Opto-elektronica Polijsten Sapphire Crystal Wafer R Type

Oppervlakterichtlijn:A-vliegtuig (11-20)

Materiaal:Hoge zuiverheidsal ₂ O ₃ (>99.995%)

Dikte:430 ±15μm

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

Sapphire Wafer

CHINA Sapphire Wafer

50mm Sapphire Wafer R9 het Spiegel Opgepoetste EPI Klaar Type van Wafeltjerand R

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2

Een vlak oppervlak Oriëntatie Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

Hoge zuiverheid Al2O3 50 mm saffiersubstraatwafeltje Thk 430 μm

Een Plane Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

EPI Klaar Sapphire Substrate Wafer Edge R Type Opgepoetste Spiegel

Kristaloriëntatie C/M0.2 Sapphire Wafer Thk 440μm

Een Vliegtuig Sapphire Substrate Wafer Thk 440um VAN Lengte (mm) 16 LEIDENE Spaander

Hoge zuiverheid Al2O3>99,995% saffierwafel spiegel gepolijst EPI gereed

Crystal Orientation C/M0.2 50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 420um

R Type 50 mm saffierwafer Dikte 420 μm lengte (mm) 16 LED-chip

Opto-elektronica Polijsten Sapphire Crystal Wafer R Type

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP