Thuis Producten

GaAs Epi-wafel

CHINA GaAs Epi-wafel

2inch GaAs Epi Wafer GaAs Undoped Substraten VGF

De groeimethode:VGF

Soort gedrag:S-C-N

Productnaam:GaAs (100) niet-gedoteerde substraten
S-C-N Conduct 2inch GaAs ongedoteerde substraten Hoge elektronenmobiliteit

Productnaam:GaAs-Si-wafel

Soort gedrag:S-C-N

Doteermiddel:GaAs-Si
2inch GaAs Undoped Substratengaas Epi Wafeltje 0.4E18 aan 1E18

Soort gedrag:S-C-N

Doteermiddel:GaAs-Si

oriëntatie hoek:0°
VGF-GaAs Undoped Substraten2inch GaAs Additief van Si

Productnaam:GaAs (100) niet-gedoteerde substraten

De groeimethode:VGF

Soort gedrag:S-C-N
17mm 2inch GaAs Epi Wafeltje Undoped Substraten 50.8mm

Productnaam:GaAs-Si-wafel

De groeimethode:VGF

Soort gedrag:S-C-N
51mm 2inch GaAs Wafer Undoped Substraten 7mm IF Lengte

De groeimethode:VGF

Soort gedrag:S-C-N

Productnaam:GaAs-Si-wafel
VGF 2inch GaAs Epi Wafer Undoped Substraten Side Polished Etched

Productnaam:2inch GaAs (100) ongedoteerde substraten

De groeimethode:VGF

oriëntatie hoek:0°
Optische communicatie Galliumarsenide Substraat LED's

Productnaam:GaAs (100) niet-gedoteerde substraten

De groeimethode:VGF

Soort gedrag:S-C-N
Halfgeleiderverbinding 2 inch GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

Productnaam:GaAs (100) niet-gedoteerde substraten

Doteermiddel:GaAs-Si

oriëntatie hoek:0°
18mm GaAs het Wafeltje2inch GaAs van Si Undoped Substraten VGF s-c-n

Productnaam:GaAs-Si-wafel

De groeimethode:VGF

Soort gedrag:S-C-N
JDCD10-001-001 2 inch GaAs (100) ongedoteerde substraten

Productnaam:GaAs-Si-wafel

De groeimethode:VGF

Soort gedrag:S-C-N
JDCD10-001-002 2 inch GaAs (100) Si-gedoteerde substraten

Productnaam:GaAs-Si-wafel

De groeimethode:VGF

Soort gedrag:S-C-N

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

GaAs Epi-wafel

CHINA GaAs Epi-wafel

2inch GaAs Epi Wafer GaAs Undoped Substraten VGF

S-C-N Conduct 2inch GaAs ongedoteerde substraten Hoge elektronenmobiliteit

2inch GaAs Undoped Substratengaas Epi Wafeltje 0.4E18 aan 1E18

VGF-GaAs Undoped Substraten2inch GaAs Additief van Si

17mm 2inch GaAs Epi Wafeltje Undoped Substraten 50.8mm

51mm 2inch GaAs Wafer Undoped Substraten 7mm IF Lengte

VGF 2inch GaAs Epi Wafer Undoped Substraten Side Polished Etched

Optische communicatie Galliumarsenide Substraat LED's

Halfgeleiderverbinding 2 inch GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

18mm GaAs het Wafeltje2inch GaAs van Si Undoped Substraten VGF s-c-n

JDCD10-001-001 2 inch GaAs (100) ongedoteerde substraten

JDCD10-001-002 2 inch GaAs (100) Si-gedoteerde substraten

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP