CHINA siliciumwafeltje

0,001-100 ohm-cm Siliciumwafer P-type boordoteermiddel

Diameter:2“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
De afzonderlijke Substraten P/E P/P E van Apparatensi/B.V. /G-Gebeëindigde Oppervlakte

De groeimethode:CZ

Diameter:2“

Rang:Eerste
Eerste 2“ Siliciumwafeltje Standard <10 μm Maximumcapabilities<5um

Diameter:2“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
Micro-elektronisch 279um silicium epitaxiaal wafer primair substraat

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ

Type/Additief:P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb
N Type het Siliciumwafeltje 3“ Dikte 279um 380um 525um 625um van Phos

Type/Additief:P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Dikte (μm):279

Diktetolerantie:Standaard± 25μm, Maximummogelijkheden ± 5μm
4“ 5“ 6“ Si-Wafeltjep Type/Boriumn Type/als n-Type/Sb

Diameter:2“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
Het Siliciumwafeltje 5“ Richtlijn <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> van CZ van de de groeimethode

Diameter:2“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
Halfgeleiderapparaten 2 Inch Silicon Substrate Wafer 8'' 12''

Diameter:2“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
N Type het Type van Sb N als Siliciumwafeltje 6 Duim 8 Duim

De groeimethode:CZ

Richtlijn:<1-0-0>,<1-1-1><1-1-0>

Type/Additief:P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Van de het Siliciumhalfgeleider van CZ het Wafeltje 380um 525um 625um

Richtlijn:<1-0-0>,<1-1-1><1-1-0>

Dikte (μm):279

Diktetolerantie:Standaard± 25μm, Maximummogelijkheden ± 5μm
12 Wafeltjep Type van het duimsilicium Boriumn Type Phos

Diameter:12“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
Silicium 8 Duimwafeltje Oppervlakte Gebeëindigde P/E P/P E/B.V. /G

Diameter:8“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

siliciumwafeltje

CHINA siliciumwafeltje

0,001-100 ohm-cm Siliciumwafer P-type boordoteermiddel

De afzonderlijke Substraten P/E P/P E van Apparatensi/B.V. /G-Gebeëindigde Oppervlakte

Eerste 2“ Siliciumwafeltje Standard <10 μm Maximumcapabilities<5um

Micro-elektronisch 279um silicium epitaxiaal wafer primair substraat

N Type het Siliciumwafeltje 3“ Dikte 279um 380um 525um 625um van Phos

4“ 5“ 6“ Si-Wafeltjep Type/Boriumn Type/als n-Type/Sb

Het Siliciumwafeltje 5“ Richtlijn <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> van CZ van de de groeimethode

Halfgeleiderapparaten 2 Inch Silicon Substrate Wafer 8'' 12''

N Type het Type van Sb N als Siliciumwafeltje 6 Duim 8 Duim

Van de het Siliciumhalfgeleider van CZ het Wafeltje 380um 525um 625um

12 Wafeltjep Type van het duimsilicium Boriumn Type Phos

Silicium 8 Duimwafeltje Oppervlakte Gebeëindigde P/E P/P E/B.V. /G

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP