Dutch

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Vraag een offerte aan |

Thuis

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. sitemap

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

Bedrijf

Ongeveer ons:

Bedrijfsprofiel
geschiedenis van het bedrijf
bedrijfsdiensten
Fabrieksreis
Kwaliteitscontrole
Contacteer ons

Producten

GaN Epitaxial Wafer

Macro-defectdichtheid 0cm−2 Niet-gedopte SI-type vrijstaande GaN enkelkristallijnsubstraat voor RF-apparaten 5*10mm2 M-face
TTV ≤ 10μm A-face niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,1 Ω·cm Vermogen apparaat/laser W
10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer
2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm

Sic Epitaxial Wafeltje

4 inch uGaN op silicium ongedoopte galliumnitride op Silicon Epitaxial Wafer
4 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer SiC epitaxiale wafers
4 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer SiC epitaxiale wafers

Page 10 of 17|< << 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 >> >|

Contactgegevens

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. sitemap

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP