Thuis Producten

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

CHINA Het Wafeltje van het aluminiumnitride

1'' AlN Aluminium Nitride Wafer 400um S/P/R Grade Chemisch Polijsten

Productnaam:AlN eenkristal

Ruwheid:Al gezicht: ≤0.5nm N gezicht (achterkant): ≤1.2μm

Verschijning:Ronde riem positioneringsrand
25.4mm 1inch AlN Enig Kristal 400um 2H Crystal Form

Verschijning:Ronde riem positioneringsrand

Productnaam:Het Wafeltje van het aluminiumnitride

Diameter (mm):25.4±0.5
1inch AlN Enig Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

TUA:≥90%

Polytype:{0001}±0,5°

Productnaam:Het Wafeltje van het aluminiumnitride
C vliegtuig AIN op saffierwafer enkel- of dubbelzijdig gepolijst

Afmetingen:φ50.8mm±0.1mm, VAN (1-100), Al Face, Plaatsbepalingsrand 16.0± 1.0mm

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Geleidingstype:Semi-Insulating
Semi-isolerende aluminiumnitride wafer AIN op saffier wafer oppervlak

Afmetingen:φ50.8mm±0.1mm, VAN (1-100), Al Face, Plaatsbepalingsrand 16.0± 1.0mm

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Geleidingstype:Semi-Insulating
Semi Isolerend Opgepoetst AIN Sapphire Wafer Sapphire Single of Dubbele Kant

Afmetingen:φ50.8mm±0.1mm, VAN (1-100), Al Face, Plaatsbepalingsrand 16.0± 1.0mm

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Geleidingstype:Semi-Insulating
2 inch dikke film aluminiumnitride wafer AIN op saffier wafer Al Face

Productnaam:Het Wafeltje van het aluminiumnitride

Afmetingen:φ50.8mm±0.1mm, VAN (1-100), Al Face, Plaatsbepalingsrand 16.0± 1.0mm

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)
1um aan 5um-Opgepoetste het Substraat Enige of Dubbele Kant van het Aluminiumnitride

Productnaam:Het Wafeltje van het aluminiumnitride

Afmetingen:φ50.8mm±0.1mm, VAN (1-100), Al Face, Plaatsbepalingsrand 16.0± 1.0mm

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)
AIN On Aluminum Nitride Wafer-Ruwheid Ra<1.5nm

Dikte:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

Richtlijn:C-vlak (0001) ±1˚

Geleidingstype:Semi-Insulating
Dikke film 2um 3um AIN op saffierwafel 2 inch semi-isolerend

Afmetingen:φ50.8mm±0.1mm, VAN (1-100), Al Face, Plaatsbepalingsrand 16.0± 1.0mm

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Richtlijn:C-vlak (0001) ±1˚
1 inch AlN Single Crystal Aluminium Nitride Wafer 400 μm S / P / R-kwaliteit

Productnaam:Het Wafeltje van het aluminiumnitride

Diameter:25,4 ± 0,5 mm

Dikte:400 ± 50 μm
2 Vliegtuig van duim het Semi Isolerende AIN Sapphire Single Crystal Wafer C

Substraat:Saffier (Enige of Dubbele Opgepoetste Kant)

Productnaam:Het Wafeltje van het aluminiumnitride

Dikte:[1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

CHINA Het Wafeltje van het aluminiumnitride

1'' AlN Aluminium Nitride Wafer 400um S/P/R Grade Chemisch Polijsten

25.4mm 1inch AlN Enig Kristal 400um 2H Crystal Form

1inch AlN Enig Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um

C vliegtuig AIN op saffierwafer enkel- of dubbelzijdig gepolijst

Semi-isolerende aluminiumnitride wafer AIN op saffier wafer oppervlak

Semi Isolerend Opgepoetst AIN Sapphire Wafer Sapphire Single of Dubbele Kant

2 inch dikke film aluminiumnitride wafer AIN op saffier wafer Al Face

1um aan 5um-Opgepoetste het Substraat Enige of Dubbele Kant van het Aluminiumnitride

AIN On Aluminum Nitride Wafer-Ruwheid Ra<1.5nm

Dikke film 2um 3um AIN op saffierwafel 2 inch semi-isolerend

1 inch AlN Single Crystal Aluminium Nitride Wafer 400 μm S / P / R-kwaliteit

2 Vliegtuig van duim het Semi Isolerende AIN Sapphire Single Crystal Wafer C

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP