Thuis Producten De Spaander van de laserdiode

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

Name: Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

Grote Afbeelding : Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Suzhou China
Merknaam:	GaNova

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Verpakking Details:	Vacuümverpakking in een klasse 10000 cleanroom-omgeving, in cassettes van 25 stuks of enkele wafelco
Betalingscondities:	T/T

Contact

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

beschrijving

Pakkettype:	Opbouwmontage, standaardpakket	Type:	Laserdiode
Toepassing:	Laser printen	Werkende Temperatuur:	15-55 ℃
Golflengte:	915nm	Outputmacht:	10
Helling efficiëntie:	1.0W/A	Zender Grootte:	94μm
Markeren:	0.5A laserdiodechip , 915nm-chip op submount , laserdiodechip 1.0W/A

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp

De lichtbron is geïntegreerd door middel van flip-chipbinding direct op het Si-substraat, waardoor werking bij hoge temperaturen mogelijk is, en spot-size converters worden gebruikt voor een efficiënte koppeling met de Si-golfgeleider.Een InGaAs/InP metaal-halfgeleider-metaal (MSM)-structuur is geïntegreerd met behulp van waferbindingstechnieken en wordt gebruikt voor fotodetectie, en een hoge responsiviteit wordt aangetoond.

Optisch
Centrale golflengte	915nm
Uitgangsvermogen	10W
Spectrale breedte FWHM	≤6nm
Helling efficiëntie	1.0W/A
Snelle asdivergentie	60 graden
Langzame as divergentie	11 graden
Polarisatie modus	TE
Zender Grootte	94um
Elektrisch
Drempelstroom	0.5A
Bedrijfsstroom	12A
Werkspanning	1.65V
Efficiëntie van stroomomzetting	58%
Thermisch
Bedrijfstemperatuur	15-55 ℃
Bewaar temperatuur	-30-70℃
Golflengte Temp.Coëfficiënt	0.3nm/℃

Tekening

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A 0

FAQ

Q1: Welke betaalmethoden ondersteunt u?
T/T en Western Union, voor uw keuze

Q2: Hoe lang kan ik het pakket ontvangen?
Normaal 1-2 weken FedEx,DHL Express,UPS,TNT

Q3: Wat is de doorlooptijd?
Standaard product zijn allemaal op voorraad.Verzending via Express binnen 3~4 werkdagen.Aangepaste stapel heeft 15 werkdagen nodig.

Q4: Bent u handelsmaatschappij of fabrikant?
Wij zijn fabrikant met meer dan 11 jaar ervaring en bieden ook de technische oplossing voor alle klanten.

Q5: Kunt u uw kwaliteit waarborgen?
Natuurlijk zijn wij een van de meest gerenommeerde fabrikanten in China.Kwaliteit is voor ons het belangrijkste, we hechten veel waarde aan onze reputatie.De beste kwaliteit is de hele tijd ons principe.

label:

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Andere Producten

915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp

Type: Laserdiode

Toepassing: Laser printen

Pakkettype: Opbouwmontage, standaardpakket

Werkende Temperatuur: 15-55 ℃

915nm het Pakket van Chip Printing Surface Mount Standard van de laserdiode

Pakkettype: Opbouwmontage, standaardpakket

Werkende Temperatuur: 15-55 ℃

Golflengte: 915nm

Outputmacht: 10

Emitter Grootte 94um Diode Laser Chip Op Submount Ontwerp Drempel Stroom 0.5A

Type: Laserdiode

Toepassing: Laser printen

Pakkettype: Opbouwmontage, standaardpakket

Werkende Temperatuur: 15-55 ℃

Surface Mount Standaard Pakket Laserdiode Chip 1.0W/A

Type: Laserdiode

Toepassing: Laser printen

Werkende Temperatuur: 15-55 ℃

Outputmacht: 10

Laserdruk Laserdiode Halfgeleiderchip 1.0W/A Zendergrootte 94μm Golflengte 915nm

Type: Laserdiode

Toepassing: Laser printen

Pakkettype: Opbouwmontage, standaardpakket

Werkende Temperatuur: 15-55 ℃

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

0.5A laserdiodechip

915nm-chip op submount

laserdiodechip 1.0W/A

De Diodespaander van de hoge Machtslaser,

De Laserspaander van de halfgeleiderdiode,

Diodelaser Chip On Submount

915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp

915nm het Pakket van Chip Printing Surface Mount Standard van de laserdiode

Emitter Grootte 94um Diode Laser Chip Op Submount Ontwerp Drempel Stroom 0.5A

Surface Mount Standaard Pakket Laserdiode Chip 1.0W/A

Laserdruk Laserdiode Halfgeleiderchip 1.0W/A Zendergrootte 94μm Golflengte 915nm

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP