CHINA De Spaander van de laserdiode

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

Pakkettype:Opbouwmontage, standaardpakket

Type:Laserdiode

Toepassing:Laser printen
915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp

Type:Laserdiode

Toepassing:Laser printen

Pakkettype:Opbouwmontage, standaardpakket
915nm het Pakket van Chip Printing Surface Mount Standard van de laserdiode

Pakkettype:Opbouwmontage, standaardpakket

Werkende Temperatuur:15-55 ℃

Golflengte:915nm
Emitter Grootte 94um Diode Laser Chip Op Submount Ontwerp Drempel Stroom 0.5A

Type:Laserdiode

Toepassing:Laser printen

Pakkettype:Opbouwmontage, standaardpakket
Surface Mount Standaard Pakket Laserdiode Chip 1.0W/A

Type:Laserdiode

Toepassing:Laser printen

Werkende Temperatuur:15-55 ℃
Laserdruk Laserdiode Halfgeleiderchip 1.0W/A Zendergrootte 94μm Golflengte 915nm

Type:Laserdiode

Toepassing:Laser printen

Pakkettype:Opbouwmontage, standaardpakket
Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%

Type:Laserdiode

Toepassing:Laser printen

Pakkettype:Opbouwmontage, standaardpakket
De Diode Chip Operating Temperature de Macht 10W van de laserdruk van de 15 tot 55 Graadoutput

Type:Laserdiode

Toepassing:Laser printen

Pakkettype:Opbouwmontage, standaardpakket
94um de Golflengte 915nm van Chip Slope Efficiency 1.0W/A van de laserdiode

Type:Laserdiode

Pakkettype:Opbouwmontage, standaardpakket

Golflengte:915nm
0.5A de Oppervlakte van Chip Laser Printing Wavelength 915nm van laserdioden zet op

Type:Laserdiode

Toepassing:Laser printen

Pakkettype:Opbouwmontage, standaardpakket

Page 1 of 1

De Spaander van de laserdiode

CHINA De Spaander van de laserdiode

Drempel Stroom 0.5A Laserdiode Chip Laser Afdrukken Helling Efficiëntie 1.0W/A

915nm 10W COS-diodelaserchip op submount-ontwerp

915nm het Pakket van Chip Printing Surface Mount Standard van de laserdiode

Emitter Grootte 94um Diode Laser Chip Op Submount Ontwerp Drempel Stroom 0.5A

Surface Mount Standaard Pakket Laserdiode Chip 1.0W/A

Laserdruk Laserdiode Halfgeleiderchip 1.0W/A Zendergrootte 94μm Golflengte 915nm

Drempel Huidige 0.5A Laserdiode Chip Power Conversie Efficiëntie 58%

De Diode Chip Operating Temperature de Macht 10W van de laserdruk van de 15 tot 55 Graadoutput

94um de Golflengte 915nm van Chip Slope Efficiency 1.0W/A van de laserdiode

0.5A de Oppervlakte van Chip Laser Printing Wavelength 915nm van laserdioden zet op

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP