Bericht versturen

Dutch

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Vraag een offerte aan |

Thuis Producten

Gevormde Sapphire Substrates

CHINA Gevormde Sapphire Substrates

Platte randhoek 16 mm patroon saffiersubstraten vooroppervlak

Afmeting:50,80 ± 0,10 mm

Dikte:430 ± 10 μm

Vlakke randbreedte:16 ± 1,0 mm
Gevormde Sapphire Crystal Wafer 2inch Sapphire Substrate

Afmeting:50,80 ± 0,10 mm

Vlakke randhoek:A-vlak ±0,2˚

TTV:≤5μm
Saffiersubstraten met patroon van 50,80 mm 430um A Plane

Vlakke randbreedte:16 ± 1,0 mm

Vlakke randhoek:A-vlak ±0,2˚

TTV:≤5μm
Back Laser Making Patterned PSS Sapphire Substraat TTV 5um

Dikte:430 ± 10 μm

Vlakke randbreedte:16 ± 1,0 mm

TTV:≤5μm
UKAS Gevormde Sapphire Substrates Flat Edge Angle

Dikte:430 ± 10 μm

Vlakke randbreedte:16 ± 1,0 mm

TTV:≤5μm
0.8um aan 1.2um Gevormde Geleide Sapphire Substrate Round Edge

Afmeting:50,80 ± 0,10 mm

Dikte:430 ± 10 μm

Vlakke randhoek:A-vlak ±0,2˚
Achteroppervlakteruwheid 0.8um aan 1.2um Gevormde Sapphire Substrates Width 16mm

Afmeting:50,80 ± 0,10 mm

Dikte:430 ± 10 μm

Vlakke randbreedte:16 ± 1,0 mm
50.80mm Gevormde Opgepoetste Sapphire Substrates Thickness 440um

Afmeting:50,80 ± 0,10 mm

Dikte:430 ± 10 μm

Vlakke randbreedte:16 ± 1,0 mm
Saffiersubstraten met een vlak patroon BOW -8 - 0μm Rand Rond

Afmeting:50,80 ± 0,10 mm

Dikte:430 ± 10 μm

Vlakke randbreedte:16 ± 1,0 mm
Gedessineerde 2-inch saffiersubstraten LED-chipsubstraat 50,80 mm

Afmeting:50,80 ± 0,10 mm

Dikte:430 ± 10 μm

Vlakke randbreedte:16 ± 1,0 mm

Page 1 of 1

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

Over

GaN Epitaxial Wafer: 2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status; Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf; 2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje: Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um; 4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um; Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | CHINA Goed Kwaliteit GaN Epitaxial Wafer Leverancier. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.