Thuis

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. contactinformatie

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

Ik ben online Chatten Nu

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Adres :	Gebouw 11, Lane 1333, Jiangnan Avenue, Changxing Town, Chongming District, Shanghai
Factory Adres :	Gebouw 11, Lane 1333, Jiangnan Avenue, Changxing Town, Chongming District, Shanghai
Werktijd :	9：10-18:00(Beijing tijd)
Zakelijke telefoon :	86-18962520616(Niet Verwerkingstijd)
Contacteer ons :	Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Contact Persoon :	Xiwen Bai (Ciel)
Zakelijke telefoon :	+8613372109561
WHATSAPP :	+8613372109561
WeChat :	+8613372109561
E-mail :	baixiwen2022@ganova.com.cn

Contact Persoon :	Adela
Zakelijke telefoon :	+8615962257010
E-mail :	daidongyun2020@ganova.com.cn

Contactgegevens

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. contactinformatie

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP