|
Productdetails:
|
| Productnaam: | Sic Epitaxial Wafeltje | Oppervlakterichtlijn: | Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 ° |
|---|---|---|---|
| Polytype: | Toegelaten niets | Orthogonal Misorientation: | ±5.0° |
| Wafeltjerand: | het beveling | Primaire Vlakke Lengte: | 47.5mm ± 1.5mm |
| Markeren: | SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm,SiC epi wafeltje 350.0um |
||
Afschuining SiC epitaxiaal wafer 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 μm ± 25,0 μm
JDCD03-001-004
Overzicht
De wafels van 200 mm kunnen voor verschillende toepassingen worden gebruikt.Deze wafers zijn 50% dunner dan de standaard silicium wafer, dus de diameter van 200 mm kan voor meer SiC-apparaten worden gebruikt.Het formaat van 200 mm is veel efficiënter en maakt het mogelijk om meer apparaten op hetzelfde formaat te bouwen.SiC met een diameter van 200 mm is een erg dure halfgeleider, maar het hoge rendement compenseert dit nadeel.
| Eigendom | P-MOS-kwaliteit | P-SBD-kwaliteit | D-klasse |
| Kristallen vorm | 4 uur | ||
| polytype | Geen Toegestaan | Gebied≤5% | |
| (MPD)A | ≤0,2 /cm2 | ≤0,5 /cm2 | ≤5/cm2 |
| Zeskantige platen | Geen Toegestaan | Gebied≤5% | |
| Zeshoekig polykristal | Geen Toegestaan | ||
| InsluitselsA | Area≤0.05% | Area≤0.05% | NVT |
| weerstand | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm |
| (EPD)A | ≤4000/cm22 | ≤8000/cm22 | NVT |
| (TED)A | ≤3000/cm22 | ≤6000/cm22 | NVT |
| (BPD)A | ≤1000/cm22 | ≤2000/cm22 | NVT |
| (TSD)A | ≤600/cm22 | ≤1000/cm22 | NVT |
| Stapel fout | ≤0,5% oppervlakte | ≤1% oppervlakte | NVT |
|
Oppervlakte metaalverontreiniging |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
||
| Diameter | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Oppervlakteoriëntatie | Buiten de as: 4° richting <11-20>±0,5 ° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Secundaire vlakke lengte | Geen secundaire flat | ||
| Primaire platte oriëntatie | Parallel aan<11-20>±1° | ||
| Secundaire vlakke oriëntatie | NVT | ||
| Orthogonale desoriëntatie | ±5,0° | ||
| Oppervlakteafwerking | C-gezicht: optisch Pools, Si-gezicht: CMP | ||
| wafel rand | Afschuinen | ||
|
Oppervlakteruwheid (10 μm × 10 μm) |
Si Gezicht Ra≤0.20 nm; C Gezicht Ra≤0.50 nm | ||
| DikteA | 350,0 μm ± 25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)A | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV)A | ≤6μm | ≤10μm | |
| (BOOG)A | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Verdraaien)A | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Chips/inspringingen | Geen Toegestaan ≥0,5 mm breedte en diepte | Qty.2 ≤1.0 mm Breedte en Diepte | |
|
KrassenA (Si-gezicht, CS8520) |
≤5 en Cumulatieve Length≤0.5×Wafer Diameter |
≤5 en Cumulatieve Length≤1.5×Wafer Diameter |
|
| TUA(2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | NVT |
| Scheuren | Geen Toegestaan | ||
| Verontreiniging | Geen Toegestaan | ||
| Eigendom | P-MOS-kwaliteit | P-SBD-kwaliteit | D-klasse |
| Randuitsluiting | 3mm | ||
Opmerking: 3 mm randuitsluiting wordt gebruikt voor de items gemarkeerd metA.
Over ons
Wij zijn gespecialiseerd in het verwerken van een verscheidenheid aan materialen tot wafers, substraten en op maat gemaakte optische glasonderdelen. Componenten die veel worden gebruikt in elektronica, optica, opto-elektronica en vele andere gebieden.We hebben ook nauw samengewerkt met vele binnenlandse en buitenlandse universiteiten, onderzoeksinstellingen en bedrijven, en bieden op maat gemaakte producten en diensten voor hun R&D-projecten.Het is onze visie om een goede samenwerkingsrelatie met al onze klanten te behouden door onze goede reputatie.
FAQ
Vraag: Bent u een handelsonderneming of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Vraag: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen op voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet op voorraad zijn, het is volgens de hoeveelheid.
Vraag: Levert u monsters?is het gratis of extra?
Ja, we kunnen het monster gratis aanbieden, maar betalen geen vrachtkosten.
Vraag: Wat zijn uw betalingsvoorwaarden?
Betaling <=5000USD, 100% vooraf.
Paymen >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.
Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)
Tel.: +8613372109561
