Thuis Productengan

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

gan online fabricage

(99)

TTV ≤ 10μm A-face niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,1 Ω·cm Vermogen apparaat/laser W
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

GaN 2 inch Galliumnitride enkelkristallijnsubstraat
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:45:14

2 inch GaN op Silicon HEMT Epi wafer voor Power-apparaat
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:40:06

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:44

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN-enkelkristallen substraat met TTV ≤ 10μm Resistiviteit 0,05 Ω·cm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

Macro-defectdichtheid 0cm−2 Niet-gedopte SI-type vrijstaande GaN enkelkristallijnsubstraat voor RF-apparaten 5*10mm2 M-face
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:33

350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

Single Crystal Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substraat 4 inch
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:44:01

4 inch Fe gedopte vrijstaande GaN-substraat Galliumnitried
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:42:36

Page 6 of 10|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

gan online fabricage

TTV ≤ 10μm A-face niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,1 Ω·cm Vermogen apparaat/laser W
Contact

GaN 2 inch Galliumnitride enkelkristallijnsubstraat
Contact

2 inch GaN op Silicon HEMT Epi wafer voor Power-apparaat
Contact

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN-enkelkristallen substraat met TTV ≤ 10μm Resistiviteit 0,05 Ω·cm
Contact

Macro-defectdichtheid 0cm−2 Niet-gedopte SI-type vrijstaande GaN enkelkristallijnsubstraat voor RF-apparaten 5*10mm2 M-face
Contact

5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Contact

350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm
Contact

Single Crystal Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substraat 4 inch
Contact

4 inch Fe gedopte vrijstaande GaN-substraat Galliumnitried
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP