Thuis Productengan

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

gan online fabricage

(99)

AlGaN-barrière 4 inch GaN op Silicon HEMT Epi wafer galliumnitride GaN-op-Si
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:33:44

6 inch GaN op silicium HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN op Si
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:38:23

2 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer Gallium Nitride op Silicon
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:35:32

4 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer SiC epitaxiale wafers
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:33:43

4 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer SiC epitaxiale wafers
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:33:43

Surface Mount Standaard Pakket Laserdiode Chip 1.0W/A
Contact

Lees meer

2022-09-22 15:13:00

SP Gezicht 5 X 10mm2 Gallium Nitride Substraat 350um
Contact

Lees meer

2022-10-08 16:41:01

Single Crystal Gallium Nitride Halfgeleider Wafer TTV 10um
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:57

2 inch Power Device High Electron Mobility Transistor Epitaxiale Wafer
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:41:10

Platte randhoek 16 mm patroon saffiersubstraten vooroppervlak
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:43:37

Page 8 of 10|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

gan online fabricage

AlGaN-barrière 4 inch GaN op Silicon HEMT Epi wafer galliumnitride GaN-op-Si
Contact

6 inch GaN op silicium HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN op Si
Contact

2 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer Gallium Nitride op Silicon
Contact

4 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer SiC epitaxiale wafers
Contact

4 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer SiC epitaxiale wafers
Contact

Surface Mount Standaard Pakket Laserdiode Chip 1.0W/A
Contact

SP Gezicht 5 X 10mm2 Gallium Nitride Substraat 350um
Contact

Single Crystal Gallium Nitride Halfgeleider Wafer TTV 10um
Contact

2 inch Power Device High Electron Mobility Transistor Epitaxiale Wafer
Contact

Platte randhoek 16 mm patroon saffiersubstraten vooroppervlak
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP