Thuis Productengan

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

gan online fabricage

(99)

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:04:46

Vermogenstoestel 5x10 mm2 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN-eenkristallig substraat met resistiviteit 0,1 Ω·cm en BOW binnen 10 μm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

5*10mm2 SP-Face Ongedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistiviteit 0,05 Ω·cm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:50

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:42:49

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje
Contact

Lees meer

2022-10-09 17:04:59

A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped
Contact

Lees meer

2023-02-17 11:02:58

5x10mm2 GaN epitaxiaal wafeltje Un-gedoteerd SI-type
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:57

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:57

5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:38

Page 3 of 10|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

gan online fabricage

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
Contact

Vermogenstoestel 5x10 mm2 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN-eenkristallig substraat met resistiviteit 0,1 Ω·cm en BOW binnen 10 μm
Contact

5*10mm2 SP-Face Ongedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistiviteit 0,05 Ω·cm
Contact

10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Contact

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)
Contact

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje
Contact

A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped
Contact

5x10mm2 GaN epitaxiaal wafeltje Un-gedoteerd SI-type
Contact

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf
Contact

5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP