Thuis Productengan

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(62)

Sic Epitaxial Wafeltje
(28)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

gan online fabricage

(85)

het Fe-Gesmeerde Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity van 10*10.5mm2 c-Gezicht > 10 ⁶ Ω·De Apparatenwafeltje van cm rf
Contact

Lees meer

2022-10-25 15:05:44

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

Lees meer

2024-07-31 15:01:27

Dikte 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten
Contact

Lees meer

2022-10-25 15:05:18

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:22:16

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

Lees meer

2024-07-31 15:01:27

5*10mm2-a-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity <0.1 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser W
Contact

Lees meer

2022-10-25 15:15:40

5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm
Contact

Lees meer

2022-10-25 15:18:39

5*10mm2 SP-Face (11-12) Ongedoteerd N-Type Vrijstaand GaN Single Crystal Substraat Weerstand
Contact

Lees meer

2023-02-17 11:06:00

4 SSP Resistivity<0.05 Ω cm van duim n-Type Si-Gesmeerde GaN On Sapphire Wafer leiden, Laser, PIN Epitaxial Wafer
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:33:16

10 X 10,5 mm2-c-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate
Contact

Lees meer

2022-10-25 15:04:40

Page 4 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

gan online fabricage

het Fe-Gesmeerde Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity van 10*10.5mm2 c-Gezicht > 10 ⁶ Ω·De Apparatenwafeltje van cm rf
Contact

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

Dikte 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten
Contact

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status
Contact

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

5*10mm2-a-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity <0.1 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser W
Contact

5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm
Contact

5*10mm2 SP-Face (11-12) Ongedoteerd N-Type Vrijstaand GaN Single Crystal Substraat Weerstand
Contact

4 SSP Resistivity<0.05 Ω cm van duim n-Type Si-Gesmeerde GaN On Sapphire Wafer leiden, Laser, PIN Epitaxial Wafer
Contact

10 X 10,5 mm2-c-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP