Thuis Productengan

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

gan online fabricage

(99)

4 SSP Resistivity<0.05 Ω cm van duim n-Type Si-Gesmeerde GaN On Sapphire Wafer leiden, Laser, PIN Epitaxial Wafer
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:42:55

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:47

Dikte 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:28

10 X 10,5 mm2 C Gezicht Ongedopt N Type Vrijstaand GaN Eénkristallig Substraat
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:50

5 X 10 mm2 M Gezicht GaN Epitaxiaal Wafeltje Dikte 325um 375um
Contact

Lees meer

2024-11-18 19:17:19

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten
Contact

Lees meer

2024-10-14 17:06:30

SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

12.5mm 2inch Freestanding N GaN Epi Wafer Si Doped
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

GaN Gallium Nitride Wafer Dikte 325um - 375um Vrijstaand
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:00:13

De V.N. Gesmeerd n-Type GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:57

Page 2 of 10|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

gan online fabricage

4 SSP Resistivity<0.05 Ω cm van duim n-Type Si-Gesmeerde GaN On Sapphire Wafer leiden, Laser, PIN Epitaxial Wafer
Contact

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

Dikte 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten
Contact

10 X 10,5 mm2 C Gezicht Ongedopt N Type Vrijstaand GaN Eénkristallig Substraat
Contact

5 X 10 mm2 M Gezicht GaN Epitaxiaal Wafeltje Dikte 325um 375um
Contact

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten
Contact

SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2
Contact

12.5mm 2inch Freestanding N GaN Epi Wafer Si Doped
Contact

GaN Gallium Nitride Wafer Dikte 325um - 375um Vrijstaand
Contact

De V.N. Gesmeerd n-Type GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP