Thuis Productengan

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

gan online fabricage

(99)

AlGaN-bufferdikte 600 nm 2 inch blauwe LED GaN op siliciumwafer
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:42:47

2 Si GaN Substrates 50.8mm van duimu GaN Substrates
Contact

Lees meer

2024-10-14 17:06:30

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Doped Si Type Gan Single Crystal Substrate
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:57

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:12:14

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:19:48

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten
Contact

Lees meer

2024-11-18 19:17:19

Enig Gezichts de V.N. Gesmeerd N Type van Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C
Contact

Lees meer

2022-10-08 16:00:57

Een Gezicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
Contact

Lees meer

2023-02-17 10:57:06

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

Niet-gedoteerde GaN-epitaxiale wafer M Gezicht vrijstaande GaN-substraten
Contact

Lees meer

2023-02-17 10:52:50

Page 1 of 10|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

gan online fabricage

AlGaN-bufferdikte 600 nm 2 inch blauwe LED GaN op siliciumwafer
Contact

2 Si GaN Substrates 50.8mm van duimu GaN Substrates
Contact

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer Un Doped Si Type Gan Single Crystal Substrate
Contact

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um
Contact

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contact

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten
Contact

Enig Gezichts de V.N. Gesmeerd N Type van Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C
Contact

Een Gezicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
Contact

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer
Contact

Niet-gedoteerde GaN-epitaxiale wafer M Gezicht vrijstaande GaN-substraten
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP