Thuis Productengan

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

gan online fabricage

(99)

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-gedoteerd vrijstaand Ga2O3 enkelvoudig kristalsubstraat Productkwaliteit enkel polijsten
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

Gevormde Sapphire Crystal Wafer 2inch Sapphire Substrate
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:45:33

Saffiersubstraten met patroon van 50,80 mm 430um A Plane
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:47:10

Back Laser Making Patterned PSS Sapphire Substraat TTV 5um
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:46:55

UKAS Gevormde Sapphire Substrates Flat Edge Angle
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:45:47

0.8um aan 1.2um Gevormde Geleide Sapphire Substrate Round Edge
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:46:38

Achteroppervlakteruwheid 0.8um aan 1.2um Gevormde Sapphire Substrates Width 16mm
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:46:21

50.80mm Gevormde Opgepoetste Sapphire Substrates Thickness 440um
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:46:00

Gedessineerde 2-inch saffiersubstraten LED-chipsubstraat 50,80 mm
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:43:12

4 inch uGaN op silicium ongedoopte galliumnitride op Silicon Epitaxial Wafer
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:33:43

Page 9 of 10|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

gan online fabricage

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-gedoteerd vrijstaand Ga2O3 enkelvoudig kristalsubstraat Productkwaliteit enkel polijsten
Contact

Gevormde Sapphire Crystal Wafer 2inch Sapphire Substrate
Contact

Saffiersubstraten met patroon van 50,80 mm 430um A Plane
Contact

Back Laser Making Patterned PSS Sapphire Substraat TTV 5um
Contact

UKAS Gevormde Sapphire Substrates Flat Edge Angle
Contact

0.8um aan 1.2um Gevormde Geleide Sapphire Substrate Round Edge
Contact

Achteroppervlakteruwheid 0.8um aan 1.2um Gevormde Sapphire Substrates Width 16mm
Contact

50.80mm Gevormde Opgepoetste Sapphire Substrates Thickness 440um
Contact

Gedessineerde 2-inch saffiersubstraten LED-chipsubstraat 50,80 mm
Contact

4 inch uGaN op silicium ongedoopte galliumnitride op Silicon Epitaxial Wafer
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP