Thuis Productengan

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

gan online fabricage

(99)

Sic n-Type Substraat
Contact

Lees meer

2022-10-09 16:57:15

0.6mm 0.8mm Ga2O3 kiezen Crystal Substrate Single Polishing uit
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

Een Vliegtuig Sapphire Substrate Wafer Thk 440um VAN Lengte (mm) 16 LEIDENE Spaander
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:24:09

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-Gesmeerde Free-Standing Ga2O3 kiest het Enige Oppoetsen van Crystal Substrate Product Grade uit
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe gedopeerd vrijstaand Ga2O3 enkelkristallig substraat Productkwaliteit enkelpolijst
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

4 inch 4H-SiC Substraat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistiviteit≥1E9Ω·Cm Voor krachtige magnetron
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:50

Enkelzijdig gepolijst Ga2O3-substraat Enkele kristaldikte 0,6 mm 0,8 mm
Contact

Lees meer

2023-02-17 14:30:35

Hoge zuiverheid Al2O3>99,995% saffierwafel spiegel gepolijst EPI gereed
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:57

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Contact

Lees meer

2023-02-17 10:18:05

Page 10 of 10|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

gan online fabricage

Sic n-Type Substraat
Contact

0.6mm 0.8mm Ga2O3 kiezen Crystal Substrate Single Polishing uit
Contact

Een Vliegtuig Sapphire Substrate Wafer Thk 440um VAN Lengte (mm) 16 LEIDENE Spaander
Contact

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-Gesmeerde Free-Standing Ga2O3 kiest het Enige Oppoetsen van Crystal Substrate Product Grade uit
Contact

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe gedopeerd vrijstaand Ga2O3 enkelkristallig substraat Productkwaliteit enkelpolijst
Contact

4 inch 4H-SiC Substraat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistiviteit≥1E9Ω·Cm Voor krachtige magnetron
Contact

Enkelzijdig gepolijst Ga2O3-substraat Enkele kristaldikte 0,6 mm 0,8 mm
Contact

Hoge zuiverheid Al2O3>99,995% saffierwafel spiegel gepolijst EPI gereed
Contact

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP