CHINA GaN Epitaxial Wafer

Macro-defectdichtheid 0cm−2 Niet-gedopte SI-type vrijstaande GaN enkelkristallijnsubstraat voor RF-apparaten 5*10mm2 M-face

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

Boog:- 10µm ≤ BOOG ≤ 10µm
TTV ≤ 10μm A-face niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,1 Ω·cm Vermogen apparaat/laser W

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25 µm

Richtlijn:Een vliegtuig (11-20) van hoek naar m-As 0 het vliegtuig van ±0.5° A (11-20) van hoek naar c-As - 1
10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer

Afmetingen:10 x 10,5 mm²

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10 µm
2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm

Productnaam:Groen-geleide GaN op siliciumwafeltje

Grootte:2 duim 4 duim

Substraatstructuur:van 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (111) substraten
10 X 10,5 mm2 C Gezicht Ongedopt N Type Vrijstaand GaN Eénkristallig Substraat

Productnaam:Het substraat van het GaN enige kristal

Afmetingen:10 x 10,5 mm²

Dikte:350 ±25µm
10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Productnaam:GaN Epitaxial Wafer

Afmetingen:10 x 10,5 mm²

Dikte:350 ±25µm
4 inch N-type UID-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand>0,5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer

Afmetingen:100 ± 0.2mm

Dikte/Dikte STD:4.5 ± 0.5μm/< 3%

Richtlijn:C-vlak (0001) afwijkende hoek richting A-as 0,2 ± 0,1 °
4 inch P-type Mg-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand ~ 10Ω Cm LED-laser PIN epitaxiaal wafer

Afmetingen:100 ± 0.2mm

Productnaam:4-duim MG-Gesmeerde GaN/Sapphire Substrates

Geleidingstype:P-type
4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer

Productnaam:4-duim MG-Gesmeerde GaN/Sapphire Substrates

Afmetingen:100 ± 0.2mm

Geleidingstype:P-type
2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten

Afmetingen:50.8 ± 1mm

Dikte:350 ± 25μm

Vlakke richtlijn:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm
de 2inch blauw-Geleide Laser 455±10nm van GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Productnaam:Blauw-geleid GaN On Silicon Wafer

Afmetingen:2 duim

De Dikte van de AlGaNbuffer:400-600nm
Afmetings520±10nm 2inch groen-Geleide GaN On Silicon Wafer 20nmContact Laag

Productnaam:2-4inch groen-Geleide GaN op silicium

Grootte:2 duim, 4 duim

Afmeting:520±10nm

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Macro-defectdichtheid 0cm−2 Niet-gedopte SI-type vrijstaande GaN enkelkristallijnsubstraat voor RF-apparaten 5*10mm2 M-face

TTV ≤ 10μm A-face niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,1 Ω·cm Vermogen apparaat/laser W

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer

2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm

10 X 10,5 mm2 C Gezicht Ongedopt N Type Vrijstaand GaN Eénkristallig Substraat

10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

4 inch N-type UID-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand>0,5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer

4 inch P-type Mg-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand ~ 10Ω Cm LED-laser PIN epitaxiaal wafer

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten

de 2inch blauw-Geleide Laser 455±10nm van GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Afmetings520±10nm 2inch groen-Geleide GaN On Silicon Wafer 20nmContact Laag

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP