CHINA GaN Epitaxial Wafer

5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

Richtlijn:(10- 11) afvlakhoek naar de A-as 0 ±0,5° (10- 11) afvlakhoek naar de C-as - 1 ±0,2°
5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/laser

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

Richtlijn:Een vliegtuig (11-20) van hoek naar m-As 0 het vliegtuig van ±0.5° A (11-20) van hoek naar c-As - 1
5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

Richtlijn:(11-22) vliegtuig van hoek naar m-As 0 (11-22) vliegtuig ±0.5° van hoek naar c-As - 1 ±0.2°
5*10mm2-a-Gezicht Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparatenwafeltje van cm rf

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
10*10.5mm2 het Vliegtuig van GaN Single Crystal Substrate C (0001) Van Hoek naar m-As 0,35 ±0.15°

Afmetingen:10 x 10,5 mm²

Dikte:350 ±25µm

Richtlijn:C-vlak (0001) afwijkende hoek richting M-as 0,35 ±0,15°
Dikte 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten

Productnaam:free-standing GaN Substrates

Afmetingen:10 x 10,5 mm²

Dikte:350 ±25µm
10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substraat Dikte 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm

Productnaam:GaN Epitaxial Wafer

Afmetingen:10 * 10,5 mm²

Dikte:350 ±25µm
4 SSP Resistivity<0.05 Ω cm van duim n-Type Si-Gesmeerde GaN On Sapphire Wafer leiden, Laser, PIN Epitaxial Wafer

Productnaam:4-inch Si-gedoteerde GaN/Sapphire-substraten

Dikte/Dikte STD:4.5 ± 0.5μm/< 3%

Richtlijn:C-vlak (0001) afwijkende hoek richting A-as 0,2 ± 0,1 °
GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)

Productnaam:Het substraat van het GaN enige kristal

Afmetingen:10 x 10,5 mm²

Dikte:350 ±25µm
AlGaN-bufferdikte 600 nm 2 inch blauwe LED GaN op siliciumwafer

Afmetingen:2 duim/4 duim

De Dikte van de AlGaNbuffer:600NM

Longueur d'onde laser:455±10nm
2 ′′ 6-inch N-type GaN op saffier epitaxiale wafer voor LED-laser PIN-apparaat

Type::Vlakke Saffier

Pools:De enige partij poetste (SSP)/Dubbele opgepoetste op kant (DSP)

Afmeting:50.8±0,2 mm (2in)/100±0,2 mm ((4in)/150 +0,2 mm (6in)

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser

5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf

5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/laser

5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf

5*10mm2-a-Gezicht Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparatenwafeltje van cm rf

10*10.5mm2 het Vliegtuig van GaN Single Crystal Substrate C (0001) Van Hoek naar m-As 0,35 ±0.15°

Dikte 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten

10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substraat Dikte 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm

4 SSP Resistivity<0.05 Ω cm van duim n-Type Si-Gesmeerde GaN On Sapphire Wafer leiden, Laser, PIN Epitaxial Wafer

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)

AlGaN-bufferdikte 600 nm 2 inch blauwe LED GaN op siliciumwafer

2 ′′ 6-inch N-type GaN op saffier epitaxiale wafer voor LED-laser PIN-apparaat

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP