2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm

Name: 2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDWY03-002-016
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Beste Producten

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm

Grote Afbeelding : 2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Suzhou China
Merknaam:	GaNova
Certificering:	UKAS/ISO9001:2015
Modelnummer:	JDWY03-002-016

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Verpakking Details:	Vacuümverpakking in een klasse 10000 cleanroom-omgeving, in cassettes van 6 stuks of enkele wafelcon
Levertijd:	3-4 weekdagen
Betalingscondities:	T/T
Levering vermogen:	10000pcs/Month

Contact

2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm

beschrijving

Productnaam:	Groen-geleide GaN op siliciumwafeltje	Grootte:	2 duim 4 duim
Substraatstructuur:	van 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (111) substraten	Afmeting:	520±10nm
Pakket:	Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in 25PCS-container, onder een stikstofatmosfeer	Merk:	GaNova
Markeren:	2 inch GaN op Silicon Wafer , Groene LED GaN op Silicon Wafer , 520nm GaN op Silicon Wafer

2inch groene LED GaN op siliciumwafel

Overzicht

Galliumnitride (GaN) zorgt voor een innovatieve verschuiving in de wereld van vermogenselektronica.Decennia lang zijn op silicium gebaseerde MOSFET's (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) een integraal onderdeel geweest van de moderne wereld van alledag die helpen energie om te zetten in vermogen.

Generatieve adversariele netwerken (GAN's) zijn algoritmische architecturen die gebruikmaken van twee neurale netwerken, waarbij de ene tegen de andere wordt geplaatst (dus de "adversarial") om nieuwe, synthetische gegevensinstanties te genereren die kunnen doorgaan voor echte gegevens.Ze worden veel gebruikt bij het genereren van afbeeldingen, het genereren van video's en het genereren van spraak.

2-4inch groene LED GaN op silicium
Item Si(111) substraten		Al(Ga)N-buffer	uGaN	nGaN	MQW (1-3 paren)		AlGaN	pGaN	Contactlaag
					InGaN-QW	GaN-QB
Dimensies		2 inch, 4 inch
		520 ± 10 nm
Dikte		800nm	1000nm	3000nm	~3nm	~10nm	35nm	145nm	20nm
Samenstelling	Al%	/	/	/	/	/	~15	/	/
	In%	/	/	/	~25	/	/	/	/
doping	[Si]	/	/	8.0E+18	/	2.0E+17	/	/	/
	[Mg]	/	/	/	/	/	1.0E+20	3.0E+19	2.0E+20
Substraat structuur		20nmContactlaag/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)substraten
Pakket		Verpakt in een cleanroom-omgeving van klasse 100, in een container van 25 stuks, onder een stikstofatmosfeer

Over ons

Wij zijn gespecialiseerd in het verwerken van een verscheidenheid aan materialen tot wafers, substraten en op maat gemaakte optische glasonderdelen. Componenten die veel worden gebruikt in elektronica, optica, opto-elektronica en vele andere gebieden.We hebben ook nauw samengewerkt met vele binnenlandse en buitenlandse universiteiten, onderzoeksinstellingen en bedrijven, en bieden op maat gemaakte producten en diensten voor hun R&D-projecten.Het is onze visie om een goede samenwerkingsrelatie met al onze klanten te behouden door onze goede reputatie.

FAQ

Vraag: Bent u een handelsonderneming of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Vraag: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen op voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet op voorraad zijn, het is volgens de hoeveelheid.
Vraag: Levert u monsters?is het gratis of extra?
Ja, we kunnen het monster gratis aanbieden, maar betalen geen vrachtkosten.
Vraag: Wat zijn uw betalingsvoorwaarden?
Betaling <=5000USD, 100% vooraf.
Paymen >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.

label:

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Andere Producten

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Productnaam: free-standing GaN Substrates

Dikte: 350 ±25µm

Richtlijn: C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Dikte: 350 ±25µm

Boog: - 10µm ≤ BOOG ≤ 10µm

Macrotekortdichtheid: 0cm⁻ ²

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Dikte: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

Boog: ≤ 20 μm

Het Vliegtuig van het de Halfgeleiderwafeltje 325um 375um C van het galliumnitride

Productnaam: Het substraat van het GaN enige kristal

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Dikte: 350 ±25µm

Richtlijn: C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten

Productnaam: 2-duim Free-standing Substraten u-GaN/SI-GaN

Afmetingen: 50.8 ± 1mm

Dikte: 350 ± 25μm

Vlakke richtlijn: (1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm

2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm

2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm

2 inch GaN op Silicon Wafer

Groene LED GaN op Silicon Wafer

520nm GaN op Silicon Wafer

De Halfgeleiderwafeltje van het galliumnitride,

Vrij Bevindend GaN Substrates,

Blauwe HOOFDgan epitaxial wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Het Vliegtuig van het de Halfgeleiderwafeltje 325um 375um C van het galliumnitride

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP