Bericht versturen

Dutch

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Vraag een offerte aan |

Thuis Producten

GaN Epitaxial Wafer

Beste Producten

Het substraat van het GaN enige kristal

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

C Gezicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

5*10mm2-SP-Gezicht (20-21)/(20-2-1) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate-Weerstandsvermogen < 0,1 Ω·cm

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2-a-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity <0.1 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser W

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25 µm

Richtlijn:Een vliegtuig (11-20) van hoek naar m-As 0 het vliegtuig van ±0.5° A (11-20) van hoek naar c-As - 1
10 X 10,5 mm2 vrijstaande GaN-substraten - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

Productnaam:GaN Epitaxial Wafer

Afmetingen:10 x 10,5 mm²

Dikte:350 ±25µm
het Fe-Gesmeerde Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity van 10*10.5mm2 c-Gezicht > 10 ⁶ Ω·De Apparatenwafeltje van cm rf

Afmetingen:10 x 10,5 mm²

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10 µm
10 X 10,5 mm2-c-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate

Productnaam:Het substraat van het GaN enige kristal

Afmetingen:10 x 10,5 mm²

Dikte:350 ±25µm

Page 6 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

Over

GaN Epitaxial Wafer: 2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status; Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf; 2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje: Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um; 4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um; Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | CHINA Goed Kwaliteit GaN Epitaxial Wafer Leverancier. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.