Thuis Producten

GaN Epitaxial Wafer

Beste Producten

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

GaN-epitaxiale wafer essentieel voor de productie van hoogspanningschipen met hoge frequentie

Type::Vlakke Saffier

Pools:De enige partij poetste (SSP)/Dubbele opgepoetste op kant (DSP)

Afmeting:50.8±0,2 mm (2in)/100±0,2 mm ((4in)/150 +0,2 mm (6in)
625um tot 675um 4 inch Blauwe LED galliumnitride GaN Epitaxiale wafer op saffier SSP Vlak saffier

Naam van het product:4inch-gaN-op-Saffier Blauwe/Groene LEIDEN Wafeltje

Type:Vlakke Saffier

Dikte:650 ± 25μm
GaN 2 inch Galliumnitride enkelkristallijnsubstraat

Min. bestelaantal:1

Verpakking Details:Inwendige verpakking: waferspecifieke verpakkingsdoos, buitenste verpakking: kartonnen verpakking, i

Betalingscondities:T/T
Single Crystal Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substraat 4 inch

Min. bestelaantal:1

Verpakking Details:Inwendige verpakking: waferspecifieke verpakkingsdoos, buitenste verpakking: kartonnen verpakking, i

Betalingscondities:T/T
4 inch Fe gedopte vrijstaande GaN-substraat Galliumnitried

Min. bestelaantal:1

Verpakking Details:Inwendige verpakking: waferspecifieke verpakkingsdoos, buitenste verpakking: kartonnen verpakking, i

Betalingscondities:T/T
2 inch groene LED GaN op silicium wafer Afmeting 520 ± 10 nm

Productnaam:Groen-geleide GaN op siliciumwafeltje

Grootte:2 duim 4 duim

Substraatstructuur:van 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (111) substraten
5*10mm2-SP-Gezicht (20-21)/(20-2-1) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate-Weerstandsvermogen < 0,05 Ω·cm

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,1 Ω·cm-Machtsapparaat

Afmetingen:5 x 10mm ²

Richtlijn:(11-22) vliegtuig van hoek naar m-As 0 (11-22) vliegtuig ±0.5° van hoek naar c-As - 1 ±0.2°

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (11-12) Ongedoteerd N-Type Vrijstaand GaN Single Crystal Substraat Weerstand

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

Richtlijn:(11-22) vliegtuig van hoek naar m-As 0 (11-22) vliegtuig ±0.5° van hoek naar c-As - 1 ±0.2°
5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparatenwafeltje van cm rf

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

Boog:- 10µm ≤ BOOG ≤ 10µm
5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity <0.1 Ω·cm-Machtsapparaat

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

Richtlijn:(10- 11) afvlakhoek naar de A-as 0 ±0,5° (10- 11) afvlakhoek naar de C-as - 1 ±0,2°

Page 5 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

GaN Epitaxial Wafer

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

GaN-epitaxiale wafer essentieel voor de productie van hoogspanningschipen met hoge frequentie

625um tot 675um 4 inch Blauwe LED galliumnitride GaN Epitaxiale wafer op saffier SSP Vlak saffier

GaN 2 inch Galliumnitride enkelkristallijnsubstraat

Single Crystal Gan Epi Wafer Gallium Nitride Substraat 4 inch

4 inch Fe gedopte vrijstaande GaN-substraat Galliumnitried

2 inch groene LED GaN op silicium wafer Afmeting 520 ± 10 nm

5*10mm2-SP-Gezicht (20-21)/(20-2-1) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate-Weerstandsvermogen < 0,05 Ω·cm

5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,1 Ω·cm-Machtsapparaat

5*10mm2 SP-Face (11-12) Ongedoteerd N-Type Vrijstaand GaN Single Crystal Substraat Weerstand

5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparatenwafeltje van cm rf

5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm

5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity <0.1 Ω·cm-Machtsapparaat

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP