CHINA GaN Epitaxial Wafer

Platte saffier 4 inch blauwe LED GaN epitaxiale wafer op saffier SSP

Productnaam:4inch-gaN-op-Saffier Blauwe/Groene LEIDEN Wafeltje

Dikte:650 ± 25μm

Richtlijn:C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As 0,2 ± 0.1°
Vrijstaande N GaN-substraten N Oppervlakruwheid 0,5um tot 1,5um

Productnaam:2-duim Free-standing Substraten n-GaN

Afmetingen:50.0 ±0.3mm

Punt:GaN-FS-c-n-C50-SSP
100mm 4 Duim Blauwe SSP HOOFD van GaN Epitaxial Wafer On Sapphire Dikte 5um - 6um

Type:Vlakke Saffier

Productnaam:4inch-gaN-op-Saffier Blauwe/Groene LEIDEN Wafeltje

Pools:De enige partij poetste (SSP)/Dubbele opgepoetste op kant (DSP)
12.5mm 2inch Freestanding N GaN Epi Wafer Si Doped

Productnaam:2-duim Free-standing Substraten n-GaN

Afmetingen:50.0 ±0.3mm

Dikte:400 ± 30μm
4 inch blauwe LED GaN epitaxiale wafer C vliegtuig platte saffier

Type:Vlakke Saffier

Productnaam:4inch-gaN-op-Saffier Blauwe/Groene LEIDEN Wafeltje

Pools:De enige partij poetste (SSP)/Dubbele opgepoetste op kant (DSP)
A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped

Productnaam:Het substraat van het GaN enige kristal

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm
5*10mm2 SP-Face Ongedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistiviteit 0,05 Ω·cm

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

Richtlijn:(11-22) vliegtuig van hoek naar m-As 0 (11-22) vliegtuig ±0.5° van hoek naar c-As - 1 ±0.2°
Vermogenstoestel 5x10 mm2 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN-eenkristallig substraat met resistiviteit 0,1 Ω·cm en BOW binnen 10 μm

Afmetingen:5 x 10mm ²

Richtlijn:(11-22) vliegtuig van hoek naar m-As 0 (11-22) vliegtuig ±0.5° van hoek naar c-As - 1 ±0.2°

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN-enkelkristallen substraat met TTV ≤ 10μm Resistiviteit 0,05 Ω·cm

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 0,1 Ω·cm Resistiviteit voor energieapparaat

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm

Richtlijn:(10- 11) afvlakhoek naar de A-as 0 ±0,5° (10- 11) afvlakhoek naar de C-as - 1 ±0,2°

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Platte saffier 4 inch blauwe LED GaN epitaxiale wafer op saffier SSP

Vrijstaande N GaN-substraten N Oppervlakruwheid 0,5um tot 1,5um

100mm 4 Duim Blauwe SSP HOOFD van GaN Epitaxial Wafer On Sapphire Dikte 5um - 6um

12.5mm 2inch Freestanding N GaN Epi Wafer Si Doped

4 inch blauwe LED GaN epitaxiale wafer C vliegtuig platte saffier

A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped

5*10mm2 SP-Face Ongedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistiviteit 0,05 Ω·cm

350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm

SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2

Vermogenstoestel 5x10 mm2 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN-eenkristallig substraat met resistiviteit 0,1 Ω·cm en BOW binnen 10 μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN-enkelkristallen substraat met TTV ≤ 10μm Resistiviteit 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 0,1 Ω·cm Resistiviteit voor energieapparaat

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP