Thuis Producten

GaN Epitaxial Wafer

Beste Producten

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Platte saffier 4 inch blauwe LED GaN epitaxiale wafer op saffier SSP

Productnaam:4inch-gaN-op-Saffier Blauwe/Groene LEIDEN Wafeltje

Dikte:650 ± 25μm

Richtlijn:C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As 0,2 ± 0.1°
Vrijstaande N GaN-substraten N Oppervlakruwheid 0,5um tot 1,5um

Productnaam:2-duim Free-standing Substraten n-GaN

Afmetingen:50.0 ±0.3mm

Punt:GaN-FS-c-n-C50-SSP
100mm 4 Duim Blauwe SSP HOOFD van GaN Epitaxial Wafer On Sapphire Dikte 5um - 6um

Type:Vlakke Saffier

Productnaam:4inch-gaN-op-Saffier Blauwe/Groene LEIDEN Wafeltje

Pools:De enige partij poetste (SSP)/Dubbele opgepoetste op kant (DSP)
12.5mm 2inch Freestanding N GaN Epi Wafer Si Doped

Productnaam:2-duim Free-standing Substraten n-GaN

Afmetingen:50.0 ±0.3mm

Dikte:400 ± 30μm
4 inch blauwe LED GaN epitaxiale wafer C vliegtuig platte saffier

Type:Vlakke Saffier

Productnaam:4inch-gaN-op-Saffier Blauwe/Groene LEIDEN Wafeltje

Pools:De enige partij poetste (SSP)/Dubbele opgepoetste op kant (DSP)
A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped

Productnaam:Het substraat van het GaN enige kristal

Afmetingen:5 x 10mm ²

Dikte:350 ±25µm
4 inch N-type UID-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand>0,5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer

Afmetingen:100 ± 0.2mm

Dikte/Dikte STD:4.5 ± 0.5μm/< 3%

Richtlijn:C-vlak (0001) afwijkende hoek richting A-as 0,2 ± 0,1 °
4 inch P-type Mg-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand ~ 10Ω Cm LED-laser PIN epitaxiaal wafer

Afmetingen:100 ± 0.2mm

Productnaam:4-duim MG-Gesmeerde GaN/Sapphire Substrates

Geleidingstype:P-type
4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer

Productnaam:4-duim MG-Gesmeerde GaN/Sapphire Substrates

Afmetingen:100 ± 0.2mm

Geleidingstype:P-type
2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten

Afmetingen:50.8 ± 1mm

Dikte:350 ± 25μm

Vlakke richtlijn:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm
de 2inch blauw-Geleide Laser 455±10nm van GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Productnaam:Blauw-geleid GaN On Silicon Wafer

Afmetingen:2 duim

De Dikte van de AlGaNbuffer:400-600nm
Afmetings520±10nm 2inch groen-Geleide GaN On Silicon Wafer 20nmContact Laag

Productnaam:2-4inch groen-Geleide GaN op silicium

Grootte:2 duim, 4 duim

Afmeting:520±10nm

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

GaN Epitaxial Wafer

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Platte saffier 4 inch blauwe LED GaN epitaxiale wafer op saffier SSP

Vrijstaande N GaN-substraten N Oppervlakruwheid 0,5um tot 1,5um

100mm 4 Duim Blauwe SSP HOOFD van GaN Epitaxial Wafer On Sapphire Dikte 5um - 6um

12.5mm 2inch Freestanding N GaN Epi Wafer Si Doped

4 inch blauwe LED GaN epitaxiale wafer C vliegtuig platte saffier

A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped

4 inch N-type UID-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand>0,5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer

4 inch P-type Mg-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand ~ 10Ω Cm LED-laser PIN epitaxiaal wafer

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten

de 2inch blauw-Geleide Laser 455±10nm van GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde

Afmetings520±10nm 2inch groen-Geleide GaN On Silicon Wafer 20nmContact Laag

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP