Thuis Productenp type silicon substrate

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

p type silicon substrate online fabricage

(81)

6 inch GaN op silicium HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN op Si
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:38:23

Een vlak oppervlak Oriëntatie Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Contact

Lees meer

2023-02-17 10:18:27

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:12:14

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:22:16

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:47

50mm Sapphire Wafer R9 het Spiegel Opgepoetste EPI Klaar Type van Wafeltjerand R
Contact

Lees meer

2023-02-17 10:17:17

6inch sic Epitaxial Wafeltje
Contact

Lees meer

2022-10-09 16:56:20

47,5 mm ± Epitaxial Wafeltje 150,0 mm +0mm/-0.2mm Parallelle to<11-20>±1° van 1,5 mm sic
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

2 inch Power Device High Electron Mobility Transistor Epitaxiale Wafer
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:41:10

Page 7 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

p type silicon substrate online fabricage

6 inch GaN op silicium HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN op Si
Contact

Een vlak oppervlak Oriëntatie Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Contact

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um
Contact

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status
Contact

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

50mm Sapphire Wafer R9 het Spiegel Opgepoetste EPI Klaar Type van Wafeltjerand R
Contact

6inch sic Epitaxial Wafeltje
Contact

47,5 mm ± Epitaxial Wafeltje 150,0 mm +0mm/-0.2mm Parallelle to<11-20>±1° van 1,5 mm sic
Contact

4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

2 inch Power Device High Electron Mobility Transistor Epitaxiale Wafer
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP