Thuis Productenp type silicon substrate

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

p type silicon substrate online fabricage

(81)

2 inch GaN op Silicon Blue LD Epi wafer GaN blauwe laser op silicium
Contact

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Lees meer

2024-12-06 17:35:32

Een vlak oppervlak Oriëntatie Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Contact

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Lees meer

2023-02-17 10:18:27

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um
Contact

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 50.8 ± 1 mm 350 ± 25 μm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Lees meer

2022-10-08 17:12:14

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status
Contact

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Lees meer

2022-10-08 17:22:16

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Lees meer

2025-04-04 22:43:47

50mm Sapphire Wafer R9 het Spiegel Opgepoetste EPI Klaar Type van Wafeltjerand R
Contact

High Purity Al2O3＞99.995% R9 Mirror Polished EPI-Ready Wafer edge R-type JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate ... Lees meer

2023-02-17 10:17:17

6inch sic Epitaxial Wafeltje
Contact

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Lees meer

2022-10-09 16:56:20

47,5 mm ± Epitaxial Wafeltje 150,0 mm +0mm/-0.2mm Parallelle to<11-20>±1° van 1,5 mm sic
Contact

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Lees meer

2024-10-29 11:49:58

4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Lees meer

2024-10-29 11:49:58

2 inch Power Device High Electron Mobility Transistor Epitaxiale Wafer
Contact

2024-12-06 17:41:10

Page 7 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

p type silicon substrate online fabricage

2 inch GaN op Silicon Blue LD Epi wafer GaN blauwe laser op silicium
Contact

Een vlak oppervlak Oriëntatie Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
Contact

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um
Contact

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status
Contact

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

50mm Sapphire Wafer R9 het Spiegel Opgepoetste EPI Klaar Type van Wafeltjerand R
Contact

6inch sic Epitaxial Wafeltje
Contact

47,5 mm ± Epitaxial Wafeltje 150,0 mm +0mm/-0.2mm Parallelle to<11-20>±1° van 1,5 mm sic
Contact

4H sic Epitaxial Wafeltje 0.015Ω•cm-0.025Ω•Cm ≤4000/cm ² 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Contact

2 inch Power Device High Electron Mobility Transistor Epitaxiale Wafer
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP