Thuis Productenp type silicon substrate

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

p type silicon substrate online fabricage

(81)

Een Gezicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
Contact

Lees meer

2023-02-17 10:57:06

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Contact

Lees meer

2023-02-17 10:18:05

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:04:46

A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped
Contact

Lees meer

2023-02-17 11:02:58

Opto-elektronica Polijsten Sapphire Crystal Wafer R Type
Contact

Lees meer

2023-02-17 11:22:48

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe gedopeerd vrijstaand Ga2O3 enkelkristallig substraat Productkwaliteit enkelpolijst
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

5x10mm2 GaN epitaxiaal wafeltje Un-gedoteerd SI-type
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:57

Optische communicatie Galliumarsenide Substraat LED's
Contact

Lees meer

2022-10-09 09:53:08

0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm Siliciumcarbide kristal N-type
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:01:16

4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:35:24

Page 4 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

p type silicon substrate online fabricage

Een Gezicht GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
Contact

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
Contact

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
Contact

A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped
Contact

Opto-elektronica Polijsten Sapphire Crystal Wafer R Type
Contact

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe gedopeerd vrijstaand Ga2O3 enkelkristallig substraat Productkwaliteit enkelpolijst
Contact

5x10mm2 GaN epitaxiaal wafeltje Un-gedoteerd SI-type
Contact

Optische communicatie Galliumarsenide Substraat LED's
Contact

0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm Siliciumcarbide kristal N-type
Contact

4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP