Thuis Productenp type silicon substrate

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

p type silicon substrate online fabricage

(81)

TTV ≤ 10μm A-face niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,1 Ω·cm Vermogen apparaat/laser W
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

Het Type 6inch 4H van niveau Psi sic Semi Isolerend Substraat 150mm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:21:46

2 ′′ 6-inch N-type GaN op saffier epitaxiale wafer voor LED-laser PIN-apparaat
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:48:43

350um 4H SiC-substraat
Contact

Lees meer

2022-10-09 16:57:57

5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/laser
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:36

4H Politype Enig Crystal Silicon Carbide 4“ p-het Gezicht van Rangsi
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:01:35

GaN violette laser op silicium 2 inch GaN op silicium HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:35:32

2 inch GaN op Silicon Blue LD Epi wafer GaN blauwe laser op silicium
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:35:32

AlGaN-barrière 4 inch GaN op Silicon HEMT Epi wafer galliumnitride GaN-op-Si
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:33:44

Page 6 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

p type silicon substrate online fabricage

TTV ≤ 10μm A-face niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,1 Ω·cm Vermogen apparaat/laser W
Contact

350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm
Contact

Het Type 6inch 4H van niveau Psi sic Semi Isolerend Substraat 150mm
Contact

2 ′′ 6-inch N-type GaN op saffier epitaxiale wafer voor LED-laser PIN-apparaat
Contact

350um 4H SiC-substraat
Contact

5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/laser
Contact

4H Politype Enig Crystal Silicon Carbide 4“ p-het Gezicht van Rangsi
Contact

GaN violette laser op silicium 2 inch GaN op silicium HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Contact

2 inch GaN op Silicon Blue LD Epi wafer GaN blauwe laser op silicium
Contact

AlGaN-barrière 4 inch GaN op Silicon HEMT Epi wafer galliumnitride GaN-op-Si
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP