Vraag een offerte aan |
Thuis Productenp type silicon substrate
Alle producten

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial Wafeltje

(39)

GaAs Epi-wafel

(15)

CVD diamantsubstraten

(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem

(2)

Hall-effect sensortester

(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

(21)

De Spaander van de laserdiode

(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide

(12)

Ga2O3 Wafeltje

(13)

siliciumwafeltje

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Gevormde Sapphire Substrates

(10)

wafeltjehouder

(1)

Wafelsnijmachine

(5)
Certificaat
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten
Ik ben online Chatten Nu

p type silicon substrate online fabricage

(81)
kopen JDWY01-001-004 2 duim dikke film (2,3) um AIN op saffierwafeltje, DSP, XRD FWHM van (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec online fabrikant

JDWY01-001-004 2 duim dikke film (2,3) um AIN op saffierwafeltje, DSP, XRD FWHM van (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
Contact

2 inch thick film (2,3)um AIN on sapphire wafer,DSP,XRD FWHM of(002)≤100arcsec(102) ≤550arcsec UV disinfection, LED chip Aluminum Nitride is also an excellent electrical insulator. It can be used in solar cells... Lees meer
2025-04-04 22:43:14
Page 9 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
Over

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | CHINA Goed Kwaliteit GaN Epitaxial Wafer Leverancier. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.