Thuis Productenp type silicon substrate

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

p type silicon substrate online fabricage

(81)

100.0mm Kristal 4“ p-Rang Politype 4H van het Siliciumcarbide
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:12:00

100.0mm Kristal 4“ p-Rang 18.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:01:26

Primaire Vlakke Lengte 32.5mm Kristal 4“ p-Rang 100.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:01:05

De afzonderlijke Substraten P/E P/P E van Apparatensi/B.V. /G-Gebeëindigde Oppervlakte
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:53:50

6inch 4H SiC-substraat N Type P SBD-klasse 350μm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:23:04

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN-enkelkristallen substraat met TTV ≤ 10μm Resistiviteit 0,05 Ω·cm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:36

Het Siliciumwafeltje 5“ Richtlijn <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> van CZ van de de groeimethode
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:53:40

Eerste 2“ Siliciumwafeltje Standard <10 μm Maximumcapabilities<5um
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:52:11

Van de het Siliciumhalfgeleider van CZ het Wafeltje 380um 525um 625um
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:51:27

Page 5 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

p type silicon substrate online fabricage

100.0mm Kristal 4“ p-Rang Politype 4H van het Siliciumcarbide
Contact

100.0mm Kristal 4“ p-Rang 18.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

Primaire Vlakke Lengte 32.5mm Kristal 4“ p-Rang 100.0mm van het Siliciumcarbide
Contact

De afzonderlijke Substraten P/E P/P E van Apparatensi/B.V. /G-Gebeëindigde Oppervlakte
Contact

6inch 4H SiC-substraat N Type P SBD-klasse 350μm
Contact

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN-enkelkristallen substraat met TTV ≤ 10μm Resistiviteit 0,05 Ω·cm
Contact

5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Contact

Het Siliciumwafeltje 5“ Richtlijn <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> van CZ van de de groeimethode
Contact

Eerste 2“ Siliciumwafeltje Standard <10 μm Maximumcapabilities<5um
Contact

Van de het Siliciumhalfgeleider van CZ het Wafeltje 380um 525um 625um
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP