Thuis Productenp type silicon substrate

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

p type silicon substrate online fabricage

(81)

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:44

2 Si GaN Substrates 50.8mm van duimu GaN Substrates
Contact

Lees meer

2024-10-14 17:06:30

SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:21:10

Enig Gezichts de V.N. Gesmeerd N Type van Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C
Contact

Lees meer

2022-10-08 16:00:57

0,001-100 ohm-cm Siliciumwafer P-type boordoteermiddel
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:52:32

N Type het Type van Sb N als Siliciumwafeltje 6 Duim 8 Duim
Contact

Lees meer

2023-02-17 12:43:17

Discrete Apparaten 2 Inch Silicium Wafer Dikte 675um 725um 775um
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:50:52

Sic n-Type Substraat
Contact

Lees meer

2022-10-09 16:57:15

Een Vliegtuig Sapphire Substrate Wafer Thk 440um VAN Lengte (mm) 16 LEIDENE Spaander
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:24:09

Page 3 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

p type silicon substrate online fabricage

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

2 Si GaN Substrates 50.8mm van duimu GaN Substrates
Contact

SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2
Contact

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

Enig Gezichts de V.N. Gesmeerd N Type van Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C
Contact

0,001-100 ohm-cm Siliciumwafer P-type boordoteermiddel
Contact

N Type het Type van Sb N als Siliciumwafeltje 6 Duim 8 Duim
Contact

Discrete Apparaten 2 Inch Silicium Wafer Dikte 675um 725um 775um
Contact

Sic n-Type Substraat
Contact

Een Vliegtuig Sapphire Substrate Wafer Thk 440um VAN Lengte (mm) 16 LEIDENE Spaander
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP