Thuis Producten

Sic Epitaxial Wafeltje

Beste Producten

350um 4H SiC-substraat

Sic n-Type Substraat

6inch sic Epitaxial Wafeltje

CHINA Sic Epitaxial Wafeltje

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 47,5 mm ± 1,5 mm

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Oppervlakterichtlijn:Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 °

Primaire Vlakke Lengte:47.5mm ± 1.5mm
2 inch SiC-substraat 350 μm voor veeleisende vermogenselektronica

Crystal Form:4h

Productnaam:van het het Carbide (sic) Substraat van 2inch de Specificatie diameterSilicon

Diameter:50.8mm±0.38mm
0.015Ω•cm-0.025Ω•cm sic Epitaxial Wafeltje c-Gezicht Optisch Pools Si-Gezicht CMP

Productnaam:van het het Carbide (sic) Substraat 6 duim van het diameter de Specificatie Silicium

Primaire Vlakke Richtlijn:{10-10} ±5.0°

Crystal Form:4h
Geen secundair vlak SiC-substraat 150,0 mm 47,5 mm

Crystal Form:4h

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Diameter:150.0mm +0mm/-0.2mm
Polytype Geen Toegestaan SiC Epitaxiale wafer P-MOS P-SBD D-klasse

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Primaire Vlakke Lengte:47.5mm ± 1.5mm

Diameter:150.0mm +0mm/-0.2mm
260 μm siliciumcarbide substraat P-niveau voor stroomapparaten en microgolfapparaten

Crystal Form:4h

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Diameter:150.0mm +0mm/-0.2mm
150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm

Diameter:150.0mm +0mm/-0.2mm

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Oppervlakterichtlijn:Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 °
P MOS Grade 2 Duim sic Epi SBD van het Wafeltjeniveau p P Rang 150.0mm van Rangd

Crystal Form:4h

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Diameter:150.0mm +0mm/-0.2mm
4H sic Epitaxial Wafeltje ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0.2mm

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Crystal Form:4h

Polytype:Toegelaten niets
2 het Wafeltjeniveau p 260μm van de duimhalfgeleider voor de Microgolfapparaten van Machtsapparaten

Crystal Form:4h

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Diameter:150.0mm +0mm/-0.2mm
4H SiC epitaxiaal wafel SiC wafelsubstraat voor fotonische apparaten ISO9001

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Crystal Form:4h

Diameter:150,0 mm +0mm/-0.2mm
6 inch 4H SiC N-type substraat 47,5 mm Geen secundair vlak

Crystal Form:4h

Oppervlakte metaalverontreiniging:(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm⁻²

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Page 2 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

Sic Epitaxial Wafeltje

350um 4H SiC-substraat

Sic n-Type Substraat

6inch sic Epitaxial Wafeltje

CHINA Sic Epitaxial Wafeltje

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 47,5 mm ± 1,5 mm

2 inch SiC-substraat 350 μm voor veeleisende vermogenselektronica

0.015Ω•cm-0.025Ω•cm sic Epitaxial Wafeltje c-Gezicht Optisch Pools Si-Gezicht CMP

Geen secundair vlak SiC-substraat 150,0 mm 47,5 mm

Polytype Geen Toegestaan SiC Epitaxiale wafer P-MOS P-SBD D-klasse

260 μm siliciumcarbide substraat P-niveau voor stroomapparaten en microgolfapparaten

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm

P MOS Grade 2 Duim sic Epi SBD van het Wafeltjeniveau p P Rang 150.0mm van Rangd

4H sic Epitaxial Wafeltje ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 mm +0mm/-0.2mm

2 het Wafeltjeniveau p 260μm van de duimhalfgeleider voor de Microgolfapparaten van Machtsapparaten

4H SiC epitaxiaal wafel SiC wafelsubstraat voor fotonische apparaten ISO9001

6 inch 4H SiC N-type substraat 47,5 mm Geen secundair vlak

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP