Dutch

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Vraag een offerte aan |

Thuis Producten

Sic Epitaxial Wafeltje

Beste Producten

350um 4H SiC-substraat

350um 4H SiC-substraat

Sic n-Type Substraat

Sic n-Type Substraat

6inch sic Epitaxial Wafeltje

6inch sic Epitaxial Wafeltje

CHINA Sic Epitaxial Wafeltje

4 inch uGaN op silicium ongedoopte galliumnitride op Silicon Epitaxial Wafer

Afmeting:4inch

Bicristallijn002:< 550 arcsec

Bicristallijn102:< 550 arcsec
4 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer SiC epitaxiale wafers

Min. bestelaantal:5

Prijs:1000

Verpakking Details:Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in 25PCS-container, onder een stikstofatmosfeer
4 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer SiC epitaxiale wafers

Min. bestelaantal:5

Prijs:1000

Verpakking Details:Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in 25PCS-container, onder een stikstofatmosfeer

Page 4 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

Over

GaN Epitaxial Wafer: 2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status; Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf; 2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje: Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um; 4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um; Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | CHINA Goed Kwaliteit GaN Epitaxial Wafer Leverancier. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.