Thuis Producten

Sic Epitaxial Wafeltje

Beste Producten

350um 4H SiC-substraat

Sic n-Type Substraat

6inch sic Epitaxial Wafeltje

CHINA Sic Epitaxial Wafeltje

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Crystal Form:4h

De oppervlakte eindigt:C-gezicht: Optisch Pools, Si-Gezicht: CMP
4 inch 4H-SiC-substraat P-niveau N-type 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Weerstand 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

Productnaam:Sic Epitaxial Wafeltje

Crystal Form:4h

Diameter:100.0mm+0.0/-0.5mm
2 inch Power Device High Electron Mobility Transistor Epitaxiale Wafer

Afmetingen:2 inch.

Resistiviteit ((300K):< 350 Ω/□

Elektronenconcentratie:> 1800 cm2/v·S
2 inch GaN op Silicon HEMT Epi wafer voor Power-apparaat

Afmetingen:2 inch.

Resistiviteit ((300K):< 350 Ω/□

Elektronenconcentratie:> 1800 cm2/v·S
6 inch GaN op silicium HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN op Si

Afmetingen:6 inch

Resistiviteit ((300K):< 350 Ω/□

Elektronenconcentratie:> 9,0E12 cm-2
Blauwe LED GaN op Silicon Wafer Blauwe Laser GaN Epitaxiale Wafer

Afmeting:2 -4 inch

Min. bestelaantal:5

Verpakking Details:Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in 25PCS-container, onder een stikstofatmosfeer
2 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer Gallium Nitride op Silicon

Afmeting:2 inch.

Min. bestelaantal:5

Verpakking Details:Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in 25PCS-container, onder een stikstofatmosfeer
2 inch GaN op Silicon Blue LD Epi wafer GaN blauwe laser op silicium

Afmeting:2 inch.

Min. bestelaantal:5

Verpakking Details:Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in 25PCS-container, onder een stikstofatmosfeer
GaN violette laser op silicium 2 inch GaN op silicium HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Afmetingen:2 inch.

IQE:onbekend

interne Verlies:onbekend
AlGaN-barrière 4 inch GaN op Silicon HEMT Epi wafer galliumnitride GaN-op-Si

Afmetingen:2 inch.

Resistiviteit ((300K):< 350 Ω/□

Elektronenconcentratie:> 9,0E12 cm-2
4 inch uGaN op silicium ongedoopte galliumnitride op Silicon Epitaxial Wafer

Afmeting:4inch

Bicristallijn002:< 550 arcsec

Bicristallijn102:< 550 arcsec
4 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer SiC epitaxiale wafers

Min. bestelaantal:5

Prijs:1000

Verpakking Details:Verpakt in een klasse 100 schoon ruimtemilieu, in 25PCS-container, onder een stikstofatmosfeer

Page 3 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

Sic Epitaxial Wafeltje

350um 4H SiC-substraat

Sic n-Type Substraat

6inch sic Epitaxial Wafeltje

CHINA Sic Epitaxial Wafeltje

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP

4 inch 4H-SiC-substraat P-niveau N-type 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Weerstand 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

2 inch Power Device High Electron Mobility Transistor Epitaxiale Wafer

2 inch GaN op Silicon HEMT Epi wafer voor Power-apparaat

6 inch GaN op silicium HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN op Si

Blauwe LED GaN op Silicon Wafer Blauwe Laser GaN Epitaxiale Wafer

2 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer Gallium Nitride op Silicon

2 inch GaN op Silicon Blue LD Epi wafer GaN blauwe laser op silicium

GaN violette laser op silicium 2 inch GaN op silicium HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

AlGaN-barrière 4 inch GaN op Silicon HEMT Epi wafer galliumnitride GaN-op-Si

4 inch uGaN op silicium ongedoopte galliumnitride op Silicon Epitaxial Wafer

4 inch GaN op Silicon Green LED Epi wafer SiC epitaxiale wafers

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP