|
Productdetails:
|
| Productnaam: | Sic Epitaxial Wafeltje | Crystal Form: | 4h |
|---|---|---|---|
| Polytype: | Toegelaten niets | Diameter: | 150.0mm +0mm/-0.2mm |
| Oppervlakterichtlijn: | Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 ° | Primaire Vlakke Lengte: | 47.5mm ± 1.5mm |
| Markeren: | 4H sic Epitaxial Wafeltje,het wafeltje ISO9001 van het siliciumcarbide,Sic Epitaxial Wafeltje 0 |
||
4H sic Epitaxial Wafeltje ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm-0.025Ω•Cm 150,0 mm +0mm/-0.2mm
JDCD03-001-004
Overzicht
De 200 mm-wafeltjes kunnen voor een verscheidenheid van toepassingen worden gebruikt. Deze wafeltjes zijn 50%-verdunner dan het standaardsiliciumwafeltje, zodat kan de 200 mm-diameter voor meer sic apparaten worden gebruikt.
De 200 mm-grootte is efficiënter en zal meer apparaten om op dezelfde grootte toelaten worden voortgebouwd. Een mm-diameter 200 sic is een zeer dure halfgeleider, maar zijn hoge opbrengst maakt dit nadeel goed.
| Bezit | P-MOS Rang | P-SBD Rang | D Rang |
| Crystal Form | 4H | ||
| Polytype | Toegelaten niets | Area≤5% | |
| (MPD) a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| Hexuitdraaiplaten | Toegelaten niets | Area≤5% | |
| Hexagonale Polycrystal | Toegelaten niets | ||
| Opneming a | Area≤0.05% | Area≤0.05% | N/A |
| Weerstandsvermogen | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm |
| (EPD) a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A |
| (TED) a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A |
| (BPD) a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A |
| (TSD) a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A |
| Het stapelen van Fout | ≤0.5% Gebied | ≤1% Gebied | N/A |
|
De Verontreiniging van het oppervlaktemetaal |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
||
| Diameter | 150,0 mm +0mm/-0.2mm | ||
| Oppervlakterichtlijn | Off-Axis: 4°toward <11-20>±0.5 ° | ||
| Primaire Vlakke Lengte | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Secundaire Vlakke Lengte | Geen Secundaire Vlakte | ||
| Primaire Vlakke Richtlijn | Parallelle to±1°<11-20> | ||
| Secundaire Vlakke Richtlijn | N/A | ||
| Orthogonal Misorientation | ±5.0° | ||
| De oppervlakte eindigt | C-gezicht: Optisch Pools, Si-Gezicht: CMP | ||
| Wafeltjerand | Beveling | ||
|
Oppervlakteruwheid (10μm×10μm) |
Si-Gezicht Ra≤0.20 NM; C Gezicht Ra≤0.50 NM | ||
| Dikte a | 350.0μm± 25,0 μm | ||
| LTV (10mm×10mm) a | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV) a | ≤6μm | ≤10μm | |
| (BOOG) a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Afwijking) a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Spaanders/Paragrafen | Niets Toegelaten Breedte ≥0.5mm en Diepte | Qty.2≤1.0 mm Breedte en Diepte | |
|
Krast a (Si-Gezicht, CS8520) |
≤5 en Cumulatieve Length≤0.5×Wafer-Diameter |
≤5 en Cumulatieve Length≤1.5×Wafer Diameter |
|
| TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N/A |
| Barsten | Toegelaten niets | ||
| Verontreiniging | Toegelaten niets | ||
| Bezit | P-MOS Rang | P-SBD Rang | D Rang |
| Randuitsluiting | 3mm | ||
Opmerking: 3mm de randuitsluiting wordt gebruikt voor de punten duidelijk met a.
Ongeveer ons
Wij specialiseren ons in de verwerking van een verscheidenheid van materialen in wafeltjes, substraten en aangepast optisch die glas parts.components wijd op elektronika, optica, opto elektronika en veel andere gebieden worden gebruikt. Wij hebben ook nauw met vele binnenlandse en overzee universiteiten, onderzoeksinstellingen samengewerkt en de bedrijven, verlenen aangepaste producten en de diensten voor hun R&D-projecten. Het is onze visie aan het handhaven van een goede verhouding van samenwerking met onze alle klanten door onze goede reputaties.
FAQ
Q: Bent u handelsmaatschappij of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Q: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen in voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet in voorraad zijn, is het volgens hoeveelheid.
Q: Verstrekt u steekproeven? is het extra vrij of?
Ja, konden wij de steekproef voor vrije last aanbieden maar betalen niet de kosten van vracht.
Q: Wat is uw betalingsvoorwaarden?
Betalings <>
betaling >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.
Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)
Tel.: +8613372109561
