GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)

Name: GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD-01-001-001
Price: Onderhandelbaar USD
Availability: InStock

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Beste Producten

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)

Grote Afbeelding : GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)

Productdetails:

Plaats van herkomst:	Suzhou China
Merknaam:	GaNova
Certificering:	UKAS/ISO9001:2015
Modelnummer:	JDCD-01-001-001

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Verpakking Details:	Vacuümverpakking in een klasse 10000 cleanroom-omgeving, in cassettes van 6 stuks of enkele wafelcon
Levertijd:	3-4 weekdagen
Betalingscondities:	T/T
Levering vermogen:	10000pcs/Month

Contact

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)

beschrijving

Productnaam:	Het substraat van het GaN enige kristal	Afmetingen:	10 x 10,5 mm²
Dikte:	350 ±25µm	Richtlijn:	C-vlak (0001) afwijkende hoek richting M-as 0,35 ±0,15°
TTV:	≤ 10µm	Macrotekortdichtheid:	0cm⁻ ²
Markeren:	Oppervlaktebehandeling GaN-substraten , Epitaxy GaN-substraten , Gepolijste GaN-substraten

10*10.5mm² C-face Niet-gedoteerd n-type vrijstaand GaN monokristallijn substraat Resistiviteit < 0.1 Ω·cm Voedingsapparaat/laser

Overzicht
We bieden GaN-substraten van hoge kwaliteit die worden geproduceerd volgens de oorspronkelijk ontworpen HVPE-methode (Hydride Vapour Phase Epitaxy), gebruikmakend van meer dan 10 jaar ervaring in de GaAsP epi-wafer-business.

10 x 10,5 mm2 vrijstaande GaN-substraten
Item	GaN-FS-CU-S10	GaN-FS-CN-S10	GaN-FS-C-SI-S10	Opmerkingen: Een cirkelvormige booghoek (R < 2 mm) wordt gebruikt om het Ga- en N-vlak te onderscheiden.
Dimensies	10 x 10,5 mm²
Dikte	350 ±25 µm
oriëntatie	C-vlak (0001) afwijkende hoek richting M-as 0,35 ±0,15°
Geleidingstype	N-type	N-type	Semi-isolerend
Weerstand (300K)	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 10⁶Ω·cm
TTV	≤ 10 µm
Boog	- 10 µm ≤ BOOG ≤ 10 µm
Ga Oppervlakteruwheid van het gezicht	< 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)


N Oppervlakteruwheid gezicht	0,5 ~ 1,5 μm optie: 1~3 nm (fijn gemalen);< 0,2 nm (gepolijst)


Dislocatie dichtheid	Vanaf 1 x 10⁵tot 3 x 10⁶cm^-2(berekend door CL)*
Dichtheid van macrodefecten	0 cm^-2
Bruikbaar gebied	> 90% (randuitsluiting)
Pakket	Verpakt in een cleanroom-omgeving van klasse 100, in een container van 6 stuks, onder een stikstofatmosfeer

*Nationale normen van China (GB/T32282-2015)

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie) 1

Over ons

Wij zijn gespecialiseerd in het verwerken van een verscheidenheid aan materialen tot wafers, substraten en op maat gemaakte optische glasonderdelen. Componenten die veel worden gebruikt in elektronica, optica, opto-elektronica en vele andere gebieden.We hebben ook nauw samengewerkt met vele binnenlandse en buitenlandse universiteiten, onderzoeksinstellingen en bedrijven, en bieden op maat gemaakte producten en diensten voor hun R&D-projecten.Het is onze visie om een goede samenwerkingsrelatie met al onze klanten te behouden door onze goede reputatie.

FAQ

Vraag: Bent u een handelsonderneming of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Vraag: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen op voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet op voorraad zijn, het is volgens de hoeveelheid.
Vraag: Levert u monsters?is het gratis of extra?
Ja, we kunnen het monster gratis aanbieden, maar betalen geen vrachtkosten.
Vraag: Wat zijn uw betalingsvoorwaarden?
Betaling <=5000USD, 100% vooraf.
Paymen >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.

label:

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Andere Producten

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Productnaam: free-standing GaN Substrates

Dikte: 350 ±25µm

Richtlijn: C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Dikte: 350 ±25µm

Boog: - 10µm ≤ BOOG ≤ 10µm

Macrotekortdichtheid: 0cm⁻ ²

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Dikte: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

Boog: ≤ 20 μm

Het Vliegtuig van het de Halfgeleiderwafeltje 325um 375um C van het galliumnitride

Productnaam: Het substraat van het GaN enige kristal

Afmetingen: 50.8 ± 1 mm

Dikte: 350 ±25µm

Richtlijn: C vliegtuig (0001) van hoek naar m-As

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten

Productnaam: 2-duim Free-standing Substraten u-GaN/SI-GaN

Afmetingen: 50.8 ± 1mm

Dikte: 350 ± 25μm

Vlakke richtlijn: (1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1mm

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

Het substraat van het GaN enige kristal

Niet-gedoteerd GaN-epitaxiaal wafeltje

C Gezicht GaN Substrate

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)

Oppervlaktebehandeling GaN-substraten

Epitaxy GaN-substraten

Gepolijste GaN-substraten

De Halfgeleiderwafeltje van het galliumnitride,

Vrij Bevindend GaN Substrates,

Blauwe HOOFDgan epitaxial wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Het Vliegtuig van het de Halfgeleiderwafeltje 325um 375um C van het galliumnitride

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP