• Dutch
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenHet Kristal van het siliciumcarbide

4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Sic Epitaxial Wafeltje

(39)

GaAs Epi-wafel

(15)

CVD diamantsubstraten

(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem

(2)

Hall-effect sensortester

(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

(21)

De Spaander van de laserdiode

(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide

(12)

Ga2O3 Wafeltje

(13)

siliciumwafeltje

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Gevormde Sapphire Substrates

(10)

wafeltjehouder

(1)

Wafelsnijmachine

(5)
Certificaat
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten
Ik ben online Chatten Nu

4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm

4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm
4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm

Grote Afbeelding :  4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm

Productdetails:
Modelnummer: JDZJ01-001-001
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Verpakking Details: Verpakt in een cleanroom in een enkele zaadcontainer
Levertijd: 3-4 weekdagen
Contact

4" P-klasse Siliciumcarbide Kristalweerstand 0.015ohm.cm tot 0.028ohm.cm

beschrijving
Politype: 4h Dragertype: N-TYPE
weerstandsvermogen: 0.015~0.028ohm.cm Richtlijn: 4,0° ± 0,2°
Primaire Vlakke Richtlijn: {10-10} ±5.0° Primaire platte lengte: 32,5 mm ± 2,0 mm
Markeren:

P-klasse siliciumcarbide kristal

,

kristallijn siliciumcarbide 0.028ohm.Cm

,

4" siliciumcarbide kristal

4" P Grade SiC Zaadkristal Weerstand 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm

SiC Zaadkristal 4" PCijfer

 

SiC is een uitstekende thermische geleider.Warmte zal gemakkelijker door SiC stromen dan door andere halfgeleidermaterialen.In feite heeft SiC bij kamertemperatuur een hogere thermische geleidbaarheid dan welk metaal dan ook.Deze eigenschap stelt SiC-apparaten in staat om op extreem hoge vermogensniveaus te werken en toch de grote hoeveelheden overtollige gegenereerde warmte af te voeren.

 

6inch SiC-staafspecificaties
Cijfer Productiekwaliteit Dummy-klasse
Politype 4 uur
Diameter 100,0 mm ± 0,5 mm
Soort vervoerder N-type
weerstand 0.015~0.028ohm.cm
oriëntatie 4,0° ± 0,2°
Primaire platte oriëntatie {10-10}±5,0°
Primaire platte lengte 32,5 mm ± 2,0 mm
Secundaire vlakke oriëntatie Si-vlak: 90°cw.van primaire flat±5°
Secundaire vlakke lengte 18,0 mm ± 2,0 mm
Randscheuren door licht met hoge intensiteit ≤1 mm in radiaal ≤3 mm in radiaal
Hex Plates door licht met hoge intensiteit Grootte < 1 mm, cumulatief gebied < 1% Cumulatief gebied <5%
Polytype Gebieden door licht met hoge intensiteit Geen ≤5% oppervlakte
MicroPipe-dichtheid Het is destructief testen.Als er onenigheid is, moeten de monsters voor hertest door de leverancier door de klant worden verstrekt.

Het is destructief testen.Als er onenigheid is, moeten de monsters voor hertest door de leverancier door de klant worden verstrekt.

 
Rand chip ≤1 met maximale lengte en breedte 1 mm ≤3 met maximale lengte en breedte 3 mm

 

 

Over ons

Wij zijn gespecialiseerd in het verwerken van een verscheidenheid aan materialen tot wafers, substraten en op maat gemaakte optische glasonderdelen. Componenten die veel worden gebruikt in elektronica, optica, opto-elektronica en vele andere gebieden.We hebben ook nauw samengewerkt met vele binnenlandse en buitenlandse universiteiten, onderzoeksinstellingen en bedrijven, en bieden op maat gemaakte producten en diensten voor hun R&D-projecten.Het is onze visie om een ​​goede samenwerkingsrelatie met al onze klanten te behouden door onze goede reputatie.

 

 

FAQ

Vraag: Bent u een handelsonderneming of fabrikant?
Wij zijn fabriek.
Vraag: Hoe lang is uw levertijd?
Over het algemeen is het 3-5 dagen als de goederen op voorraad zijn.
of het is 7-10 dagen als de goederen niet op voorraad zijn, het is volgens de hoeveelheid.
Vraag: Levert u monsters?is het gratis of extra?
Ja, we kunnen het monster gratis aanbieden, maar betalen geen vrachtkosten.
Vraag: Wat zijn uw betalingsvoorwaarden?
Betaling <=5000USD, 100% vooraf.
Paymen >=5000USD, 80% T/T vooraf, saldo vóór verzending.

 

label:

Het Kristalp Rang van het siliciumcarbide,

Het Kristal 4H van het siliciumcarbide,

N Type sic kristal

Contactgegevens
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Contactpersoon: Xiwen Bai (Ciel)

Tel.: +8613372109561

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | CHINA Goed Kwaliteit GaN Epitaxial Wafer Leverancier. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.