Thuis Productenga2o3 single crystal substrate

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

ga2o3 single crystal substrate online fabricage

(13)

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe gedopeerd vrijstaand Ga2O3 enkelkristallig substraat Productkwaliteit enkelpolijst
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-Gesmeerde Free-Standing Ga2O3 kiest het Enige Oppoetsen van Crystal Substrate Product Grade uit
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-gedoteerd vrijstaand Ga2O3 enkelvoudig kristalsubstraat Productkwaliteit enkel polijsten
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

0.6mm 0.8mm Ga2O3 kiezen Crystal Substrate Single Polishing uit
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

FWHM<350arcsecga2o3 Wafeltje Enig Crystal Substrate Thickness 0.6mm tot 0.8mm
Contact

Lees meer

2023-02-17 14:17:37

Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Epitaxial Wafer 2 Inch 4 Inch
Contact

Lees meer

2023-02-17 14:34:04

Ga2O3 Fe Doped Wafer Single Crystal Substraat 10x10mm2 vrijstaand
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:34:19

10x10mm Ga2O3 Wafeltje 10x15mm Enig Crystal Substrate
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:57:06

Smeren van halfgeleider het Enige Crystal Gallium Oxide Substrate UID
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:30:43

Enkelzijdig gepolijst Ga2O3-substraat Enkele kristaldikte 0,6 mm 0,8 mm
Contact

Lees meer

2023-02-17 14:30:35

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

ga2o3 single crystal substrate online fabricage

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe gedopeerd vrijstaand Ga2O3 enkelkristallig substraat Productkwaliteit enkelpolijst
Contact

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-Gesmeerde Free-Standing Ga2O3 kiest het Enige Oppoetsen van Crystal Substrate Product Grade uit
Contact

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-gedoteerd vrijstaand Ga2O3 enkelvoudig kristalsubstraat Productkwaliteit enkel polijsten
Contact

0.6mm 0.8mm Ga2O3 kiezen Crystal Substrate Single Polishing uit
Contact

FWHM<350arcsecga2o3 Wafeltje Enig Crystal Substrate Thickness 0.6mm tot 0.8mm
Contact

Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Epitaxial Wafer 2 Inch 4 Inch
Contact

Ga2O3 Fe Doped Wafer Single Crystal Substraat 10x10mm2 vrijstaand
Contact

10x10mm Ga2O3 Wafeltje 10x15mm Enig Crystal Substrate
Contact

Smeren van halfgeleider het Enige Crystal Gallium Oxide Substrate UID
Contact

Enkelzijdig gepolijst Ga2O3-substraat Enkele kristaldikte 0,6 mm 0,8 mm
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP