Dutch

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Vraag een offerte aan |

Thuis Productenfree standing gan substrates

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

free standing gan substrates online fabricage

(57)

A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped
Contact

Lees meer

2023-02-17 11:02:58

5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:38

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:42:49

5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:36

5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/laser
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:36

350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

5*10mm2-a-Gezicht Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparatenwafeltje van cm rf
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:31

5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:33

5*10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 0,1 Ω·cm Resistiviteit voor energieapparaat
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:44

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

free standing gan substrates online fabricage

A Face N Type Vrijstaand GaN Gallium Single Crystal Substrate Un Doped
Contact

5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser
Contact

GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)
Contact

5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Contact

5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/laser
Contact

350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm
Contact

5*10mm2-a-Gezicht Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparatenwafeltje van cm rf
Contact

5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Contact

5*10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 0,1 Ω·cm Resistiviteit voor energieapparaat
Contact

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP