Thuis Productenfree standing gan substrates

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

free standing gan substrates online fabricage

(57)

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:12:14

Vermogenstoestel 5x10 mm2 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN-eenkristallig substraat met resistiviteit 0,1 Ω·cm en BOW binnen 10 μm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

5*10mm2 SP-Face Ongedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistiviteit 0,05 Ω·cm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:57

2 Si GaN Substrates 50.8mm van duimu GaN Substrates
Contact

Lees meer

2024-10-14 17:06:30

Vrijstaande N GaN-substraten N Oppervlakruwheid 0,5um tot 1,5um
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:14:45

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:22:16

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

C Gezicht GaN Substrate
Contact

Lees meer

2022-10-09 17:03:25

Page 2 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

free standing gan substrates online fabricage

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um
Contact

Vermogenstoestel 5x10 mm2 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN-eenkristallig substraat met resistiviteit 0,1 Ω·cm en BOW binnen 10 μm
Contact

SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2
Contact

5*10mm2 SP-Face Ongedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistiviteit 0,05 Ω·cm
Contact

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf
Contact

2 Si GaN Substrates 50.8mm van duimu GaN Substrates
Contact

Vrijstaande N GaN-substraten N Oppervlakruwheid 0,5um tot 1,5um
Contact

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status
Contact

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer
Contact

C Gezicht GaN Substrate
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP