![]() |
10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substraat Dikte 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm2025-04-04 22:43:27 |
![]() |
0.6mm 0.8mm Ga2O3 kiezen Crystal Substrate Single Polishing uit2024-10-29 11:49:58 |
![]() |
Enkelzijdig gepolijst Ga2O3-substraat Enkele kristaldikte 0,6 mm 0,8 mm2023-02-17 14:30:35 |
![]() |
GaN 2 inch Galliumnitride enkelkristallijnsubstraat2024-12-06 17:45:14 |
![]() |
Single Crystal Gallium Nitride Halfgeleider Wafer TTV 10um2024-10-29 11:49:57 |