Dutch

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Vraag een offerte aan |

Thuis Productengallium nitride semiconductor wafer

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

gallium nitride semiconductor wafer online fabricage

(35)

FWHM<350arcsecga2o3 Wafeltje Enig Crystal Substrate Thickness 0.6mm tot 0.8mm
Contact

Lees meer

2023-02-17 14:17:37

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:47

2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:50

Afmetings520±10nm 2inch groen-Geleide GaN On Silicon Wafer 20nmContact Laag
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:39

Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Epitaxial Wafer 2 Inch 4 Inch
Contact

Lees meer

2023-02-17 14:34:04

Ga2O3 Fe Doped Wafer Single Crystal Substraat 10x10mm2 vrijstaand
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:34:19

0.6mm 0.8mm Ga2O3 kiezen Crystal Substrate Single Polishing uit
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

Enkelzijdig gepolijst Ga2O3-substraat Enkele kristaldikte 0,6 mm 0,8 mm
Contact

Lees meer

2023-02-17 14:30:35

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe gedopeerd vrijstaand Ga2O3 enkelkristallig substraat Productkwaliteit enkelpolijst
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:51

Page 3 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

gallium nitride semiconductor wafer online fabricage

FWHM<350arcsecga2o3 Wafeltje Enig Crystal Substrate Thickness 0.6mm tot 0.8mm
Contact

4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Contact

2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm
Contact

Afmetings520±10nm 2inch groen-Geleide GaN On Silicon Wafer 20nmContact Laag
Contact

Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Epitaxial Wafer 2 Inch 4 Inch
Contact

Ga2O3 Fe Doped Wafer Single Crystal Substraat 10x10mm2 vrijstaand
Contact

0.6mm 0.8mm Ga2O3 kiezen Crystal Substrate Single Polishing uit
Contact

Enkelzijdig gepolijst Ga2O3-substraat Enkele kristaldikte 0,6 mm 0,8 mm
Contact

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer
Contact

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe gedopeerd vrijstaand Ga2O3 enkelkristallig substraat Productkwaliteit enkelpolijst
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP