Thuis Producten0 8mm single crystal substrate

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

0 8mm single crystal substrate online fabricage

(20)

10x10mm Ga2O3 Wafeltje 10x15mm Enig Crystal Substrate
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:57:06

Smeren van halfgeleider het Enige Crystal Gallium Oxide Substrate UID
Contact

Lees meer

2022-10-09 10:30:43

10x15mm2 UID gedoteerd vrijstaand Ga2O3 wafer enkel polijsten
Contact

Lees meer

2022-09-27 16:57:32

2 Si GaN Substrates 50.8mm van duimu GaN Substrates
Contact

Lees meer

2024-10-14 17:06:30

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten
Contact

Lees meer

2024-11-18 19:17:19

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:22:16

1um aan 5um-Opgepoetste het Substraat Enige of Dubbele Kant van het Aluminiumnitride
Contact

Lees meer

2022-09-27 15:36:51

P-niveau 2 inch SiC-substraat voor stroomapparaten en microgolfapparaten
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

2 inch SiC-substraat 350 μm voor veeleisende vermogenselektronica
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um
Contact

Lees meer

2022-10-08 17:12:14

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

0 8mm single crystal substrate online fabricage

10x10mm Ga2O3 Wafeltje 10x15mm Enig Crystal Substrate
Contact

Smeren van halfgeleider het Enige Crystal Gallium Oxide Substrate UID
Contact

10x15mm2 UID gedoteerd vrijstaand Ga2O3 wafer enkel polijsten
Contact

2 Si GaN Substrates 50.8mm van duimu GaN Substrates
Contact

375 um GaN Epitaxiale wafer Vrijstaande U-GaN SI-GaN-substraten
Contact

50.8mm de Halfgeleiderwafeltje van het Galliumnitride 2 Duim Vrije Status
Contact

1um aan 5um-Opgepoetste het Substraat Enige of Dubbele Kant van het Aluminiumnitride
Contact

P-niveau 2 inch SiC-substraat voor stroomapparaten en microgolfapparaten
Contact

2 inch SiC-substraat 350 μm voor veeleisende vermogenselektronica
Contact

Vrij Bevindend U/Si GaN Epitaxial Wafer 50,8 mm 350 um
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP