Thuis Producten

siliciumwafeltje

CHINA siliciumwafeltje

Discrete Apparaten 2 Inch Silicium Wafer Dikte 675um 725um 775um

Diameter:2“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
775um 725um 675um de Halfgeleiderapparaten van het 8 Duimwafeltje

Diameter:2“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
2“ het Wafeltjedikte 279μm van het Halfgeleidersilicium

Diameter:2“

Richtlijn:<1-0-0>,<1-1-1><1-1-0>

Type/Additief:P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb
MEMS-apparaten Siliciumsubstraten Geïntegreerde schakelingen Dedicated

Diameter:2“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
JDCD06-001-003-4-duim de Apparaten Siliciumwafeltje MEMS, Geïntegreerde schakelingen, wijdden Substraten voor Afzonderlijke Apparaten

Diameter:4“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
JDCD06-001-002 3-inch Silicon Wafer MEMS-apparaten, geïntegreerde schakelingen, speciale substraten voor discrete apparaten

Diameter:3“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
JDCD07-001-003-6-duim de Verwerking van SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Richtlijn:<100>,<111>

Type/Additief:P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Dikte (μm):300-725
JDCD07-001-004 7-inch SOI epitaxiaal wafeltje voor MEMS-verwerking

Diameter:7“

Richtlijn:<100>,<111>

Type/Additief:P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb
JDCD07-001-002-5-duim de Verwerking van SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Richtlijn:<100>,<111>

Type/Additief:P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb

De Uniformiteit:<5>
JDCD07-001-001 4-inch SOI epitaxiaal wafeltje voor MEMS-verwerking

Diameter:4“

Richtlijn:<100>,<111>

Type/Additief:P Type/Borium, n-Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb
JDCD06-001-007-12-duim de Apparaten Siliciumwafeltje MEMS, Geïntegreerde schakelingen, wijdden Substraten voor Afzonderlijke Apparaten

Diameter:12“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ
JDCD06-001-006 8-inch Silicon Wafer MEMS-apparaten, geïntegreerde schakelingen, speciale substraten voor discrete apparaten

Diameter:8“

Rang:Eerste

De groeimethode:CZ

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

siliciumwafeltje

CHINA siliciumwafeltje

Discrete Apparaten 2 Inch Silicium Wafer Dikte 675um 725um 775um

775um 725um 675um de Halfgeleiderapparaten van het 8 Duimwafeltje

2“ het Wafeltjedikte 279μm van het Halfgeleidersilicium

MEMS-apparaten Siliciumsubstraten Geïntegreerde schakelingen Dedicated

JDCD06-001-003-4-duim de Apparaten Siliciumwafeltje MEMS, Geïntegreerde schakelingen, wijdden Substraten voor Afzonderlijke Apparaten

JDCD06-001-002 3-inch Silicon Wafer MEMS-apparaten, geïntegreerde schakelingen, speciale substraten voor discrete apparaten

JDCD07-001-003-6-duim de Verwerking van SOI Epitaxial Wafer For MEMS

JDCD07-001-004 7-inch SOI epitaxiaal wafeltje voor MEMS-verwerking

JDCD07-001-002-5-duim de Verwerking van SOI Epitaxial Wafer For MEMS

JDCD07-001-001 4-inch SOI epitaxiaal wafeltje voor MEMS-verwerking

JDCD06-001-007-12-duim de Apparaten Siliciumwafeltje MEMS, Geïntegreerde schakelingen, wijdden Substraten voor Afzonderlijke Apparaten

JDCD06-001-006 8-inch Silicon Wafer MEMS-apparaten, geïntegreerde schakelingen, speciale substraten voor discrete apparaten

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP