Dutch

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Vraag een offerte aan |

Thuis Producten

GaAs Epi-wafel

CHINA GaAs Epi-wafel

JDCD10-001-003 2 inch GaAs ((100) Zn gedopte substraten

Productnaam:GaAs-Si-wafel

Richtlijn:(100) 15°±0.5° van Toward<111>A

VAN Oriëntatie:鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆
JDCD10-001-002 2 inch GaAs (100) Si gedopte substraten

Productnaam:GaAs-Si-wafel

De groeimethode:VGF

Soort gedrag:S-C-N
JDCD10-001-001 2 inch GaAs (100) ongedoteerde substraten

Productnaam:GaAs-Si-wafel

De groeimethode:VGF

Soort gedrag:S-C-N

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

Bladeren door rubrieken：

GaN Epitaxial Wafer
Sic Epitaxial Wafeltje
GaAs Epi-wafel
CVD diamantsubstraten
Snel thermisch uitgloeisysteem
Hall-effect sensortester
Het Wafeltje van het aluminiumnitride
De Spaander van de laserdiode
Het Kristal van het siliciumcarbide
Ga2O3 Wafeltje
siliciumwafeltje
Sapphire Wafer
Gevormde Sapphire Substrates
wafeltjehouder
Wafelsnijmachine

Over

GaN Epitaxial Wafer: 2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status; Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf; 2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje: Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um; 4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um; Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | CHINA Goed Kwaliteit GaN Epitaxial Wafer Leverancier. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.