Thuis Productensic epitaxial wafer c face

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

sic epitaxial wafer c face online fabricage

(33)

6 inch 4H SiC N-type substraat 47,5 mm Geen secundair vlak
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:26:17

260 μm siliciumcarbide substraat P-niveau voor stroomapparaten en microgolfapparaten
Contact

Lees meer

2024-10-29 11:49:58

4 inch 4H-SiC Substraat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistiviteit≥1E9Ω·Cm Voor krachtige magnetron
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:50

150 mm 4H SiC wafer semi-isolerend substraat 6 inch 350 μm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:22:12

Geen secundair vlak SiC-substraat 150,0 mm 47,5 mm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:24:09

4 inch 4H-SiC Substraat P-niveau SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistiviteit≥1E5Ω·cm Voor krachtige microgolf
Contact

Lees meer

2025-04-27 11:43:50

4 inch 4H-SiC-substraat P-niveau N-type 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Weerstand 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:25

2 het Wafeltjeniveau p 260μm van de duimhalfgeleider voor de Microgolfapparaten van Machtsapparaten
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:25:55

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:21:10

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

Lees meer

2025-04-04 22:43:44

Page 3 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

sic epitaxial wafer c face online fabricage

6 inch 4H SiC N-type substraat 47,5 mm Geen secundair vlak
Contact

260 μm siliciumcarbide substraat P-niveau voor stroomapparaten en microgolfapparaten
Contact

4 inch 4H-SiC Substraat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistiviteit≥1E9Ω·Cm Voor krachtige magnetron
Contact

150 mm 4H SiC wafer semi-isolerend substraat 6 inch 350 μm
Contact

Geen secundair vlak SiC-substraat 150,0 mm 47,5 mm
Contact

4 inch 4H-SiC Substraat P-niveau SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistiviteit≥1E5Ω·cm Voor krachtige microgolf
Contact

4 inch 4H-SiC-substraat P-niveau N-type 350,0 ± 25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Weerstand 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm
Contact

2 het Wafeltjeniveau p 260μm van de duimhalfgeleider voor de Microgolfapparaten van Machtsapparaten
Contact

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP