Thuis Productensemiconductor gallium arsenide wafer

Alle producten

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Sic Epitaxial Wafeltje
(39)

GaAs Epi-wafel
(15)

CVD diamantsubstraten
(15)

Snel thermisch uitgloeisysteem
(2)

Hall-effect sensortester
(3)

Het Wafeltje van het aluminiumnitride
(21)

De Spaander van de laserdiode
(10)

Het Kristal van het siliciumcarbide
(12)

Ga2O3 Wafeltje
(13)

siliciumwafeltje
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Gevormde Sapphire Substrates
(10)

wafeltjehouder
(1)

Wafelsnijmachine
(5)

Certificaat

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaten

Ik ben online Chatten Nu

semiconductor gallium arsenide wafer online fabricage

(10)

Halfgeleiderverbinding 2 inch GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
Contact

Lees meer

2022-09-27 17:18:19

18mm GaAs het Wafeltje2inch GaAs van Si Undoped Substraten VGF s-c-n
Contact

Lees meer

2022-10-09 09:53:40

GaN-epitaxiale wafer essentieel voor de productie van hoogspanningschipen met hoge frequentie
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:47:04

2 ′′ 6-inch N-type GaN op saffier epitaxiale wafer voor LED-laser PIN-apparaat
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:48:43

2 het Wafeltjeniveau p 260μm van de duimhalfgeleider voor de Microgolfapparaten van Machtsapparaten
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:25:55

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:20:57

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 47,5 mm ± 1,5 mm
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:23:40

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

Lees meer

2022-10-24 10:21:10

JDCD10-001-002 2 inch GaAs (100) Si-gedoteerde substraten
Contact

Lees meer

2022-10-09 09:52:57

Verhoog de productie Rapid Thermal Processing RTP-SA-8 Annealing System
Contact

Lees meer

2024-12-06 17:48:00

Page 1 of 1

GaN Epitaxial Wafer

Sic Epitaxial Wafeltje

GaAs Epi-wafel

CVD diamantsubstraten

Snel thermisch uitgloeisysteem

Hall-effect sensortester

Het Wafeltje van het aluminiumnitride

De Spaander van de laserdiode

Het Kristal van het siliciumcarbide

Ga2O3 Wafeltje

siliciumwafeltje

Sapphire Wafer

Gevormde Sapphire Substrates

wafeltjehouder

Wafelsnijmachine

semiconductor gallium arsenide wafer online fabricage

Halfgeleiderverbinding 2 inch GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
Contact

18mm GaAs het Wafeltje2inch GaAs van Si Undoped Substraten VGF s-c-n
Contact

GaN-epitaxiale wafer essentieel voor de productie van hoogspanningschipen met hoge frequentie
Contact

2 ′′ 6-inch N-type GaN op saffier epitaxiale wafer voor LED-laser PIN-apparaat
Contact

2 het Wafeltjeniveau p 260μm van de duimhalfgeleider voor de Microgolfapparaten van Machtsapparaten
Contact

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 4H kristalvorm
Contact

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm SiC epitaxiaal wafeltje 47,5 mm ± 1,5 mm
Contact

6 inch N Type Wafeltje P MOS Grade 4H SiC Substraat 350.0 ± 25.0um
Contact

JDCD10-001-002 2 inch GaAs (100) Si-gedoteerde substraten
Contact

Verhoog de productie Rapid Thermal Processing RTP-SA-8 Annealing System
Contact

GaN Epitaxial Wafer

2inch het Type van het Gezichtsfe Gesmeerde Si van GaN Epitaxial Wafer C Vrije Status

Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf

2 inch vrijstaande SI-GaN-substraten

Sic Epitaxial Wafeltje

Afschuining SiC epitaxiaal wafeltje 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0um ± 25,0 um

4H Kristalvorm SiC Epitaxiaal Wafeltje Wafeltje Rand Afschuining 350.0um ± 25.0um

Enig het c-Gezicht van het Kristal sic Epitaxial Wafeltje Optisch Pools Si-Gezicht CMP